De acordo com pt.wedoany.com-A Micron Technology iniciou a produção de DRAM 1α (1-alpha) na sua fábrica de Manassas, na Virgínia, a qual a empresa afirma ser a tecnologia de memória mais avançada fabricada em solo americano. Esta expansão faz parte da estratégia de investimento de cerca de 200 mil milhões de dólares da Micron nos EUA, visando fortalecer a capacidade de fabrico doméstico de semicondutores e fornecer segurança na cadeia de abastecimento para indústrias críticas como a automóvel, aeroespacial, defesa, sistemas industriais, redes e equipamentos médicos.
A empresa afirmou que o seu nó de DRAM 1α será utilizado para produzir produtos de memória DDR4 e LP4 de longo ciclo de vida, prevendo-se que quadruplique a produção de wafers DDR4 na fábrica de Manassas. A Micron planeia alcançar a produção qualificada de DRAM 1α nesta fábrica até ao final do ano civil de 2026. O investimento total neste projeto de expansão e modernização ultrapassa os 2 mil milhões de dólares, prevendo-se que suporte mais de 3.100 postos de trabalho na fábrica e no ecossistema circundante.
Sanjay Mehrotra, Presidente do Conselho de Administração, Presidente e CEO da Micron, presidiu à cerimónia de inauguração na fábrica de Manassas, que contou com a presença de altos funcionários federais e do estado da Virgínia, incluindo Howard Lutnick, Jamieson Greer, Mark Warner, Tim Kaine e o Presidente da Câmara dos Delegados da Virgínia, Don Scott.
Mehrotra descreveu este marco como um "passo importante" no roteiro mais amplo de fabrico nos EUA da Micron, que também inclui grandes projetos de fabrico de memória em Idaho e Nova Iorque. A Micron prevê que, coletivamente, estes projetos criarão cerca de 90.000 postos de trabalho a longo prazo. O Secretário Lutnick enquadrou o investimento como parte de um esforço global para restaurar a capacidade de fabrico avançado de semicondutores nos EUA, enquanto o Senador Warner destacou o papel de apoio da Lei CHIPS e Ciência para a produção doméstica de semicondutores.
O foco da expansão da fábrica de Manassas não é competir com a produção de HBM de ponta, mas sim garantir uma capacidade de fabrico doméstico fiável para tecnologias DRAM de longo ciclo de vida profundamente integradas nas infraestruturas automóvel, aeroespacial, industrial, de telecomunicações e defesa. Devido aos longos ciclos de certificação, elevados requisitos de fiabilidade e necessidade de suporte de produto a longo prazo, a DDR4 continua a ser amplamente implementada em sistemas embarcados e industriais. O nó 1α da Micron estende a capacidade avançada de fabrico de DRAM ao território dos EUA, proporcionando uma fonte de abastecimento doméstico para uma tecnologia de memória madura, mas ainda crítica, num contexto de elevada concentração da produção global de memória na Ásia.
O anúncio revela também que a procura por infraestrutura de IA está a remodelar toda a cadeia de abastecimento de semicondutores. A Micron posiciona o seu portefólio de produtos para cobrir tanto produtos de memória de alto desempenho para IA destinados a sistemas de hiperescala, como DRAM de longo ciclo de vida para aplicações industriais e de borda. A presença de fabrico de memória da Micron nos EUA inclui: a fábrica de Manassas, Virgínia (DRAM 1α DDR4/LP4, em expansão); a fábrica de Boise, Idaho (fabrico de DRAM de ponta, com produção inicial prevista para meados de 2027); e a fábrica de Clay, Nova Iorque (megafábrica de memória em grande escala, com desenvolvimento do terreno em curso). O contexto industrial em que a DDR4 permanece importante reside em setores como o automóvel, defesa e aeroespacial, sistemas industriais, redes e equipamentos médicos, que mantêm uma procura contínua por DDR4 devido a fatores como ciclos de certificação, certificações de segurança, requisitos de aquisição doméstica, implementações estáveis de longo prazo e validação regulatória.
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