Participação da Samsung no mercado de DRAM atinge 38% no primeiro trimestre de 2026, SK Hynix e HBM juntos somam 58%
2026-06-26 17:28
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De acordo com pt.wedoany.com-A Samsung Electronics alcançou uma participação de 38% no mercado global de DRAM no primeiro trimestre deste ano (com base na receita), mantendo a liderança pelo segundo trimestre consecutivo. Em comparação com o trimestre anterior, a participação da empresa cresceu 2 pontos percentuais, tornando-se a única entre os três maiores fabricantes de memória a registrar crescimento. Os dados foram divulgados pela empresa de pesquisa de mercado Counterpoint Research em 25 de junho.

DDR5 DRAM da Samsung Electronics. (Imagem fornecida pela Samsung Electronics)

A SK Hynix ficou em segundo lugar com uma participação de 29%, uma queda de 3 pontos percentuais em relação ao trimestre anterior, ampliando a diferença para a Samsung Electronics para 9 pontos percentuais. A Micron Technology manteve sua participação inalterada em 22%. A empresa chinesa ChangXin Memory Technologies (CXMT) registrou uma participação de 8%, estável em relação ao trimestre anterior, mas com um crescimento significativo em comparação aos 3% do primeiro trimestre do ano passado. O mercado geral de DRAM cresceu 80% em relação ao trimestre anterior e 260% em relação ao ano anterior.

No mercado de memória de alta largura de banda (HBM), a SK Hynix continuou dominante com uma participação de 58%. Embora tenha caído 11 pontos percentuais em relação ao primeiro trimestre do ano passado, ainda detém a maioria da participação. No mesmo período, a participação da Samsung Electronics no mercado de HBM subiu de 13% para 21%, e a da Micron Technology, de 18% para 21%. A Counterpoint Research prevê que a Samsung Electronics aumentará sua participação no mercado de HBM com o primeiro fornecimento de HBM4 para a Nvidia, previsto para o segundo semestre deste ano. A Samsung Electronics é a primeira empresa do setor a passar nos testes de certificação HBM4 (sexta geração) da Nvidia e forneceu amostras de HBM4E (sétima geração) a clientes principais um mês antes da SK Hynix.

No mercado de memória flash NAND, a Samsung Electronics manteve a liderança com uma participação de 29%. A SK Hynix ficou em segundo lugar com 18%, seguida pela Kioxia com 14%, enquanto Micron Technology, SanDisk e YMTC (Yangtze Memory Technologies) detiveram 13% cada. Entre elas, a participação da YMTC saltou de 8% no quarto trimestre do ano passado para 13% no primeiro trimestre deste ano, impulsionada principalmente pela escassez de memória e pelo aumento de preços.

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