Micron Technology anuncia plano de investimento de mais de 250 bilhões de dólares nos EUA

De acordo com pt.wedoany.com-A Micron Technology anunciou um plano de investimento de longo prazo nos Estados Unidos, no valor superior a 250 bilhões de dólares, um aumento significativo em relação à meta de 200 bilhões de dólares do ano passado. O plano visa transferir 40% da produção de DRAM (Dynamic Random Access Memory) da empresa para o território americano.

Em 9 de julho, a Micron Technology revelou que planeja investir mais de 250 bilhões de dólares nos EUA até 2035, para construção de fábricas e pesquisa e desenvolvimento tecnológico. Os projetos específicos incluem a construção de uma segunda fábrica de chips de memória de ponta em Boise, Idaho, e a expansão de uma instalação existente em Manassas, Virgínia. Além disso, dezenas de bilhões de dólares serão destinados à P&D tecnológica.

Como parte deste plano de investimento, a Micron Technology anunciou um investimento de até 3 bilhões de dólares nos EUA para fortalecer o ecossistema da cadeia de suprimentos de semicondutores americana, criar capacidades essenciais de fabricação de semicondutores necessárias para futuras inovações tecnológicas e atender à demanda por armazenamento avançado para Inteligência Artificial e outras aplicações intensivas em dados. Desse montante, 500 milhões de dólares serão usados para fornecer financiamento estratégico à GlobalWafers, apoiando a construção de uma fábrica de wafers de silício virgem de 300mm em Sherman, Texas. As duas empresas também assinaram um acordo de fornecimento de 10 anos, garantindo à Micron capacidade suficiente de wafers de silício, e planejam colaborar no desenvolvimento de tecnologias de wafers de próxima geração e inovações de processo.

Na abertura do mercado em 9 de julho, as ações da Micron Technology subiram mais de 7%, com valor de mercado de 1,2 trilhão de dólares.

Antes do anúncio deste plano de investimento, em 29 de junho, o governo sul-coreano, em parceria com o Grupo Samsung e o Grupo SK, divulgou um plano de investimento doméstico empresarial totalizando 4.755 trilhões de won, focado em três categorias principais de projetos: semicondutores, IA física e Data Centers de IA. Especificamente, está previsto o investimento de 800 trilhões de won (cerca de 518 bilhões de dólares) no sudoeste da Coreia do Sul para construir quatro fábricas de semicondutores, sendo duas de responsabilidade da Samsung Electronics (005930.KS) e duas da SK Hynix (000660.KS). Mais detalhadamente, a SK Hynix planeja investir 1.100 trilhões de won para expandir a oferta de DRAM e NAND Flash, enquanto a Samsung planeja investir 400 trilhões de won em Gwangju para construir uma nova fábrica de wafers, e 56 trilhões de won em Cheonan e Onyang para construir uma nova fábrica de HBM (High Bandwidth Memory).

A Samsung Electronics, a SK Hynix e a Micron Technology são as três maiores fabricantes originais de DRAM do mundo. Esses planos de investimento demonstram a determinação das fabricantes originais internacionais de DRAM em expandir a capacidade de armazenamento e fortalecer a capacidade de fabricação local. O analista da TrendForce, Xu Jiayuan, afirmou que os planos de expansão de capacidade de cada fornecedor dependerão, em última análise, da execução específica e da estrutura de clientes.

A fabricante chinesa de DRAM, ChangXin Memory Technologies, iniciou o processo de IPO no STAR Market, planejando captar 29,5 bilhões de yuans em sua oferta inicial. Os recursos serão usados para a atualização tecnológica da memória DRAM, pesquisa e desenvolvimento de tecnologias prospectivas, e projetos de atualização e transformação das linhas de produção em massa de wafers.