Um estudo de colaboração internacional liderado pela Universidade de Edimburgo, no Reino Unido, conseguiu preparar com sucesso um novo material semicondutor de liga germânio-estanho. Os resultados desta investigação foram publicados no *Journal of the American Chemical Society*. Este novo semicondutor demonstra potencial para melhorar a velocidade de operação e reduzir o consumo de energia de dispositivos eletrónicos comuns.
Este novo semicondutor é composto pelos elementos germânio e estanho e caracteriza-se pela capacidade de converter energia luminosa em elétrica, e vice-versa, de forma mais eficiente do que o material de silício comum. Esta característica é crucial para melhorar o desempenho de dispositivos optoeletrónicos, como processadores de computador e equipamentos de imagiologia médica. Anteriormente, a preparação estável de ligas germânio-estanho era considerada um desafio, uma vez que os dois elementos têm dificuldade em reagir em condições normais.
A equipa de investigação liderada pelo Dr. George Serghiou, da Universidade de Edimburgo, superou o desafio de preparação aquecendo a mistura de matérias-primas a mais de 1200 graus Celsius e aplicando pressões extremamente elevadas. Este processo permite, em última análise, produzir material de liga germânio-estanho estável em condições ambiente de temperatura e pressão. O Dr. George Serghiou afirmou: "Este trabalho abre novos caminhos para o design de novos materiais através da nossa via sinérgica recentemente definida, que envolve criar reatividade e orientar a recuperação de materiais com a estrutura cristalina desejada. Esta investigação visa responder às crescentes necessidades energéticas de dispositivos eletrónicos e centros de dados, que requerem abordagens inovadoras para desenvolver novos materiais capazes de utilizar a luz para melhorar a eficiência energética."
Este estudo fornece uma nova opção de material para o desenvolvimento de dispositivos optoeletrónicos de alto desempenho e baixo consumo de energia. Investigadores de várias faculdades da Universidade de Edimburgo, bem como de instituições de investigação na Alemanha, França e outros locais, participaram nesta colaboração sobre o novo semicondutor.
Mais informação: Autores: George Serghiou et al., Título: "High-Pressure and Composition-Guided Synthesis of Hexagonal Germanium-Tin Alloys", Publicado em: *Journal of the American Chemical Society* (2025). Informação da revista: *Journal of the American Chemical Society*
