Os materiais heterojunção de nitreto de gálio (GaN) apresentam excelente largura de banda proibida, alta resistência de ruptura e alta velocidade de saturação de elétrons, sendo ideais para a fabricação de dispositivos de micro-ondas de alta potência.

Diodo de Micro-ondas de Nitreto de Gálio (GaN SBD)

O diodo de micro-ondas de GaN é um componente central em circuitos de micro-ondas para retificação, limitador, detecção e comutação. Os diodos de micro-ondas de alta potência são essenciais em aplicações como retificação em receptores de energia de micro-ondas e limitadores resistentes a danos por micro-ondas de alta potência. O semicondutor de banda larga GaN oferece vantagens naturais em aplicações de micro-ondas de alta potência.

Áreas de Aplicação

• Dispositivos de recepção de micro-ondas e ondas milimétricas: amplamente usados em comunicação, radar, navegação, guerra eletrônica, tecnologia espacial, medição e controle, e aeroespacial.
• Misturadores: aplicáveis em engenharia de comunicação móvel de pequena escala em produção, segurança e projetos de campo.
• Detectores (detectors): utilizados em analisadores de rede escalar, redes de seis portas e receptores instantâneos de micro-ondas.
• Limitadores: componentes centrais em módulos de radar e comunicação.