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Material da base |
Pastilha de silício monocristalino tipo N dopada com fósforo |
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Espessura |
130±10%μm |
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Dimensão |
210mm*210mm±0,25mm, φ295mm±0,25mm |
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Frente |
18 linhas de grade principais, 188 ±10% linhas de grade secundárias, filme antirreflexo azul (nitreto de silício) |
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Verso |
18 linhas de grade principais, 192 ±10% linhas de grade secundárias, filme antirreflexo azul (nitreto de silício) |
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Célula bifacial Tipo N TOPCon HG210N
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China
Edifício 72, Parque Industrial de Jinrun, Comunidade de Gaoxin, Vila de Gaochang, Distrito de Xuzhou, Cidade de Yibin, Província de Sichuan
13925933306
13925933306
lianxy@sunsyncgroup.com
Sobre o Produto
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