De acordo com pt.wedoany.com-A fabricante nacional de semicondutores de potência, Jiangsu MacMic Science & Technology Co., Ltd., anunciou em 8 de maio de 2026, através de um comunicado de registo de atividades de relações com investidores, que o seu módulo NCBSiC, desenvolvido internamente, obteve a certificação de sistema completo de um fabricante líder internacional de servidores de IA e iniciou o fornecimento em pequenos lotes, entrando oficialmente na cadeia de fornecimento de fontes de alimentação para computação de alto desempenho. A empresa implementou, a partir de 1 de abril, ajustes de preços em alguns produtos não essenciais, com um aumento médio de cerca de 10%, sendo que a maioria dos clientes demonstrou uma boa aceitação até ao momento.
Antes de entrar na cadeia de fornecimento principal de fontes de alimentação para computação, a MacMic Science & Technology já vinha a preparar o terreno no campo do carboneto de silício (SiC) há vários anos. Em 2024, a empresa desenvolveu com sucesso o chip MOSFET SiC de 1200V para a indústria automóvel, o processo de sinterização de prata foi validado em termos de fiabilidade e o chip díodo Schottky (SBD) SiC de 1200V passou na validação a nível de sistema por vários clientes finais. Em dezembro do mesmo ano, a subsidiária Changzhou X-Core Energy concluiu a produção da milionésima unidade do módulo de encapsulamento plástico com dissipação de calor dupla face para acionamento elétrico automóvel, com a indutância parasita do circuito de comutação reduzida para 6 a 8nH e a resistência térmica cerca de 30% inferior em comparação com as soluções tradicionais. O módulo híbrido SiC de três níveis da empresa começou simultaneamente a ser fornecido em volume para o setor de UPS.
A entrada do módulo NCBSiC na cadeia de fornecimento de fontes de alimentação para servidores de IA surge em resposta às crescentes exigências impostas aos semicondutores de potência pelo aumento contínuo da densidade de potência dos racks de servidores de IA. O consumo de energia por rack passou de alguns milhares de watts nos servidores tradicionais para 30 a 50 quilowatts, ou até mais, tornando cada vez mais evidentes os estrangulamentos de eficiência dos dispositivos de potência tradicionais baseados em silício em cenários de alta tensão, alta frequência e alta temperatura. Graças à sua maior tensão de rutura, menores perdas de comutação e melhor condutividade térmica, o carboneto de silício está a substituir aceleradamente os IGBTs e MOSFETs de silício em topologias centrais como PFC e LLC nas fontes de alimentação de servidores de IA. O módulo topológico trifásico de seis unidades da série GVE, lançado anteriormente pela empresa e baseado na tecnologia de chip M7i+, apresenta uma redução de perdas totais de cerca de 15% em condições de alta carga em comparação com a geração anterior, com a temperatura máxima de junção operacional a atingir os 185°C, acumulando dados de processo para a engenharia dos módulos SiC subsequentes.
A linha de produtos SST de alta tensão e os dispositivos de nitreto de gálio (GaN) são outras duas vias paralelas que a MacMic Science & Technology está a seguir para a evolução da arquitetura de alimentação de centros de dados de IA. O módulo GWB de 1700V existente na empresa pode ser adaptado a transformadores de estado sólido, e a equipa técnica está a promover continuamente a investigação, desenvolvimento e industrialização de dispositivos SiC e GaN. Os produtos SST de alta tensão e os produtos GaN estão atualmente em desenvolvimento conjunto e fase de envio de amostras com fabricantes líderes do setor, tanto nacionais como internacionais. O chip GaN HEMT de 650V da subsidiária MacMic Aisai foi desenvolvido com sucesso. Tendo em vista a arquitetura HVDC de 800V da NVIDIA, cuja implementação em larga escala está prevista para 2027, a empresa já planeou o lançamento de dispositivos GaN adaptados a este sistema.
A empresa está simultaneamente a promover a cooperação para a transferência de resultados tecnológicos de SiC no Laboratório Huairou, em Pequim, concentrando recursos para superar os desafios da tecnologia de chips SiC de alta tensão e alta corrente. No ano fiscal de 2025, a MacMic Science & Technology alcançou uma receita operacional de 1,348 mil milhões de yuans, um aumento homólogo de 1,23%, e um lucro líquido atribuível aos acionistas da empresa-mãe de 17,1149 milhões de yuans, revertendo o prejuízo do ano anterior. A receita do negócio de controlo industrial representou cerca de 50%, enquanto a geração de energia renovável e os veículos de nova energia representaram cerca de 25% cada. Os módulos de potência contribuíram com 1,034 mil milhões de yuans de receita, representando cerca de 76,7% do total, mantendo-se como a linha de produtos principal da empresa.
Após esta entrega inicial em pequenos lotes do módulo NCBSiC, o foco do mercado irá transferir-se para a velocidade de aceleração da produção em volume subsequente e a estabilidade da taxa de rendimento, bem como para o ritmo real da transição dos produtos SST de alta tensão e GaN do desenvolvimento conjunto para a concretização de encomendas. Os chips de gestão de energia e os dispositivos de potência são componentes relativamente discretos na infraestrutura de computação de IA, mas críticos, pois uma falha pode causar a paralisação total de um rack. Os principais fabricantes de servidores de IA impõem elevados requisitos de fiabilidade e longos processos de validação para a integração de fornecedores. A obtenção desta certificação pela MacMic Science & Technology significa que os seus produtos já passaram a primeira barreira de entrada nesta cadeia de fornecimento fechada, mas a libertação em larga escala das encomendas de produção em série subsequentes ainda terá de ser sujeita a testes contínuos de consistência de entrega e fiabilidade a longo prazo.
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