De acordo com pt.wedoany.com-A SK Hynix ajustou o plano de produto para sua próxima geração de memória flash NAND 3D. Sua geração V10 adotará tecnologia de empilhamento de 375 camadas e introduzirá molibdênio (Molybdenum) para substituir parte do filme de tungstênio no processo, a fim de enfrentar os desafios de conexão elétrica decorrentes do alto número de camadas.
O produto da geração V9 da empresa já atingiu 321 camadas, atualmente o maior número de camadas empilhadas na produção em massa de NAND flash. O aumento de camadas da V9 para a V10 é de 54 camadas, relativamente conservador. De acordo com a mídia sul-coreana The Elec, citando fontes do setor, a SK Hynix também considerou 400 camadas como meta para a V10, mas reduziu o objetivo devido a "dificuldades de fabricação". Em comparação, o produto de décima geração da concorrente Samsung saltou de 286 camadas (V9) para 4xx camadas, estimadas em cerca de 430 camadas.
Com o aumento do número de camadas empilhadas de células de memória, a complexidade das conexões elétricas aumenta correspondentemente. A SK Hynix, em sua estrutura de 375 camadas, utiliza molibdênio para substituir parte do filme de tungstênio nas linhas de palavra (word lines). A largura dos fios continua diminuindo, e a resistência do tungstênio aumenta, afetando a transmissão de sinal; já o molibdênio possui menor resistência, o que favorece o aumento da velocidade de leitura e gravação. Além disso, o molibdênio, durante a deposição, não requer uma camada de barreira (barrier layer) adicional como o tungstênio, podendo formar filme diretamente, o que ajuda a alcançar uma estrutura de maior densidade. No entanto, o relatório aponta que o novo processo exige requisitos técnicos mais elevados.
De acordo com o roteiro da SK Hynix, fontes do setor afirmam que as próximas gerações de produtos (presumivelmente V11 e V12) aumentarão ainda mais o número de camadas empilhadas, atingindo 480 e 608 camadas, respectivamente. Quanto à Samsung, recentemente, em testes preliminares, conseguiu empilhar com sucesso 900 camadas, mas esse resultado ainda está longe da produção em massa.
Em relação ao cronograma de produção em massa, informações compiladas pela instituição de pesquisa de mercado TrendForce mostram que o NAND de 375 camadas da SK Hynix deve entrar em produção no final de 2026; o NAND de 4xx camadas da Samsung está planejado para o segundo semestre de 2026; e a produção em massa do BiCS10 (332 camadas) da Kioxia pode ocorrer dentro do ano fiscal de 2026 ou no início de 2027. Embora com um número relativamente menor de camadas, o BiCS10, apresentado pela Kioxia em conjunto com a parceira SanDisk na ISSCC, atingiu a maior densidade de armazenamento da época, com quase 5 GB/mm².
Enquanto os principais concorrentes avançam com seus produtos de décima geração, a Micron permanece em silêncio. Após o G9 (276 camadas), a Micron planeja lançar o G10, mas há pouquíssimas informações públicas. De acordo com um artigo do EE World, espera-se que o G10 adote a tecnologia "Confined Storage Node (Confined SN)" para reduzir a interferência entre células, aumentando assim a vida útil das células de armazenamento e reduzindo o tempo de gravação em cerca de 10%.
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