De acordo com pt.wedoany.com-Em 15 de junho, a Iron Device foi selecionada como instituição de pesquisa conjunta para um projeto apoiado pelo governo, dedicado ao desenvolvimento de tecnologia de módulos de potência embarcados para circuitos de acionamento de veículos elétricos.

O consórcio desenvolverá módulos de nitreto de gálio (GaN) para veículos elétricos em ambiente de 650 volts (V). A instituição líder, Semi-Powerex, é responsável pela integração dos módulos. O Instituto de Tecnologia Eletrônica da Coreia (KETI), o Instituto de Tecnologia Automotiva da Coreia (KATECH), a Universidade Nacional de Seul (Seoul National University), a Universidade Hanyang (Hanyang University) e a Iron Device participam como instituições de pesquisa conjunta. O projeto terá duração de aproximadamente três anos e meio, encerrando-se em 31 de dezembro de 2029, com um orçamento total de cerca de 8,3 bilhões de won.

A Iron Device desenvolverá um driver de porta isolado de canal duplo de 2500 volts (V) para GaN. Os dispositivos GaN são utilizados em sistemas de fonte de alimentação de comutação de alta velocidade, incluindo fontes de alimentação para data centers, carregadores de alta velocidade para veículos elétricos e fontes de alimentação industriais. O driver de porta controla as operações de comutação dos dispositivos GaN. Este driver de porta suporta correntes de acionamento de 5 amperes (A) e 7A, utilizando um encapsulamento capaz de suportar uma tensão de ruptura de 2500V.

A empresa planeja expandir a aplicação desta tecnologia para carregadores de bordo (OBC) de veículos elétricos, estações de carregamento de alta velocidade para veículos elétricos, conversores CC-CC (DC-DC) para data centers e inversores de sistemas de armazenamento de energia (ESS).

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