De acordo com pt.wedoany.com-A ROHM (Japão) anunciou no dia 18 que desenvolveu o IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de 4ª geração com tensão de 650V, adequado para compressores elétricos veiculares, aquecedores HV, inversores para equipamentos industriais, entre outros. Este componente atinge a menor perda da indústria entre produtos veiculares de 650V, além de possuir alta capacidade de suportar curto-circuito, estando em conformidade com o padrão de confiabilidade veicular AEC-Q101.
O novo produto otimiza a estrutura do dispositivo, incluindo processos e configurações periféricas, aumentando a densidade de corrente e reduzindo as perdas de condução e comutação. A tensão de saturação VCE, que caracteriza a baixa perda de condução, é de 1,55V.
A uma temperatura de junção (Tj) de 25°C, o produto garante uma capacidade de suportar curto-circuito de 7µs, um desempenho que normalmente envolve um trade-off com a baixa perda. Essa característica contribui para melhorar a eficiência e a confiabilidade das aplicações.
A linha de produtos inclui 12 modelos no encapsulamento TO-247N (RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR) e 10 modelos em chip nu (SG83xxWN). Também está em andamento o desenvolvimento de 12 modelos no encapsulamento TO-247-4L (RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR).
A produção em massa dos novos produtos começou em maio, com capacidade de 1 milhão de unidades por mês. Os produtos no encapsulamento TO-247N também estão disponíveis para venda online. Todos os modelos de design e materiais necessários para o projeto de circuitos já estão prontos e podem ser baixados do site oficial da ROHM.
A ROHM continuará expandindo o número de modelos no mesmo encapsulamento e planeja desenvolver produtos IGBT de montagem superficial de pequeno porte nos encapsulamentos TO-263L e de dissipação superior (TSC=Top-Side Cooling), dedicando-se a expandir sua linha de produtos IGBT de alto desempenho.
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