De acordo com pt.wedoany.com-A Ampleon lançou o transistor de potência de RF GaN de alta eficiência C5H4850N55D, um transistor Doherty GaN de 55 W que opera na faixa de frequência de 4800 MHz a 5000 MHz, projetado para atender às demandas de estações base 5G e sistemas de comunicação multicanal.
À medida que os operadores de rede continuam a aumentar a taxa de transferência de dados e a eficiência energética, os projetistas de amplificadores de potência de RF enfrentam maior pressão para manter a linearidade e a eficiência em largura de banda ampla e alta relação de potência de pico para média. O C5H4850N55D permite operação Doherty eficiente por meio de uma solução GaN com correspondência interna altamente otimizada, simplificando o projeto e reduzindo o esforço de desenvolvimento.
Em aplicações Doherty típicas, o dispositivo atinge aproximadamente 50% de eficiência de dreno em toda a faixa de frequência, com um nível de ganho de 14 dB em condições W-CDMA, suportando amplificação eficiente de sinais com alta relação de potência de pico para média. Sua capacidade de pré-distorção digital ajuda a melhorar a linearidade em nível de sistema, atendendo aos requisitos espectrais dos sistemas de comunicação modernos. O transistor suporta potência de saída de até 45 dBm em condições de compressão, fornecendo margem para aplicações multicanal e de banda larga.
O C5H4850N55D suporta variações de carga de até 10:1 VSWR em condições de descasamento, garantindo desempenho estável em implantações reais. O dispositivo é encapsulado em um pacote QFN compacto de 8 mm x 8 mm, e o design de entrada com correspondência interna reduz a complexidade da rede de correspondência externa, favorecendo alta densidade de potência e uso eficiente do espaço da placa de circuito.
O C5H4850N55D já está disponível através da rede global de distribuição da Ampleon.
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