SanDisk dos EUA apresenta amostras da 10ª geração de memória flash 3D NAND BiCS10

De acordo com pt.wedoany.com-No dia 2 de julho, horário local, a empresa americana SanDisk anunciou o início do fornecimento de amostras da 10ª geração de tecnologia de memória flash 3D NAND, a BiCS10 1Tb TLC. Este produto eleva o número de camadas de armazenamento para 332 e integra os protocolos Toggle DDR6.0, SCA e a tecnologia PI-LTT, visando atender às demandas de armazenamento de dados de alta velocidade, baixo consumo de energia e alta densidade.

A BiCS10 1Tb TLC dá continuidade à arquitetura NAND tridimensional BiCS da SanDisk e utiliza a tecnologia de ligação de wafers CBA, fabricando a lógica CMOS e a matriz de armazenamento separadamente antes de realizar uma ligação de wafer a wafer de alta precisão. Isso permite continuar aumentando a densidade de armazenamento dentro de uma área limitada de chip, ao mesmo tempo que abre espaço de design para velocidade de interface, controle de consumo de energia e eficiência de E/S. De acordo com os dados divulgados pela SanDisk, a densidade de armazenamento da BiCS10 TLC ultrapassa 29 Gb/mm², um aumento de 59% na densidade de bits em comparação com a 8ª geração de memória flash 3D atualmente em produção; a velocidade máxima da interface NAND atinge 4,8 Gb/s, um aumento de 33%. Para SSDs, armazenamento empresarial e dispositivos de dados de alta taxa de transferência, uma velocidade de interface mais alta significa maior capacidade de transferência de dados entre as partículas de memória flash e o controlador. Posteriormente, será necessário combinar com o controlador, firmware, arquitetura de canais e esquemas de encapsulamento para que isso se traduza no desempenho geral do disco.

A pilha de 332 camadas reflete que a memória 3D NAND continua a avançar para um número maior de camadas e maior densidade. Com o aumento do número de camadas, o processo de fabricação precisa lidar com questões como gravação de furos profundos, deposição de filmes finos, consistência entre camadas, controle de rendimento e verificação de confiabilidade, e a dificuldade técnica não se limita apenas a empilhar mais alto.

A SanDisk também destacou desta vez os protocolos Toggle DDR6.0, SCA e a tecnologia PI-LTT. O Toggle DDR6.0 é usado para melhorar a capacidade de transmissão da interface NAND, o protocolo SCA separa o barramento de entrada de comando/endereço do barramento de transmissão de dados, permitindo que os dois tipos de sinais trabalhem em paralelo, reduzindo assim o tempo de entrada e saída de dados. O PI-LTT, por sua vez, utiliza a fonte de alimentação de 1,2V existente e uma fonte de tensão extra baixa na alimentação da interface NAND para reduzir o consumo de energia durante o processo de entrada e saída de dados. Dados oficiais indicam que, em comparação com a BiCS8, o consumo de energia de entrada de dados da BiCS10 TLC é reduzido em 10%, e o consumo de energia de saída é reduzido em 34%. Essas melhorias afetarão o desempenho energético de dispositivos móveis, SSDs para clientes, SSDs empresariais e armazenamento para data centers, especialmente no contexto do crescimento misto de conjuntos de dados de IA, conteúdo de vídeo, dados de log e dados quentes e frios na nuvem, onde os dispositivos de armazenamento precisam equilibrar simultaneamente capacidade, taxa de transferência, consumo de energia e estabilidade operacional de longo prazo.

Após a BiCS10 1Tb TLC entrar na fase de amostragem, os clientes downstream ainda precisarão avançar em torno da adaptação do controlador, ajuste de firmware, design de encapsulamento, verificação do sistema e testes de confiabilidade. Desde a amostra até a entrada em escala nos produtos finais, as partículas NAND geralmente passam por verificação do cliente, certificação da plataforma, ramp-up de produção e combinação de diferentes modelos de capacidade. O que a SanDisk lançou desta vez não é um novo SSD para o consumidor final, mas uma atualização do nó tecnológico da memória flash subjacente; posteriormente, isso afetará o espaço de design de SSDs para consumidores, SSDs empresariais, armazenamento embarcado, armazenamento para data centers e produtos de memória flash de alta capacidade. Com a expansão das cargas de trabalho orientadas por IA, a leitura de dados, o armazenamento de parâmetros de modelos, o gerenciamento de amostras de treinamento e os logs de inferência continuarão a aumentar, e as melhorias na densidade, velocidade de interface e eficiência energética da memória 3D NAND continuarão a entrar nos indicadores de seleção de sistemas de armazenamento.