De acordo com pt.wedoany.com-No segundo semestre, várias instituições preveem que o preço médio de venda das memórias ainda tem espaço para subir, enquanto o mercado geralmente espera uma possível escassez de oferta no setor em 2027.
A tendência de alta no mercado de DRAM continua sólida. No início de julho de 2026, o preço do DDR5 de 16 Gb atingiu cerca de 47 dólares, um recorde histórico. O Bank of America (BofA) analisou em seu relatório que a expansão da demanda por capacidade de computação de IA e a transferência contínua de capacidade de produção para HBM são os dois fatores que causam essa situação. Ao mesmo tempo, os principais fabricantes, ao reduzir a capacidade de produção de DDR4, juntamente com as ações de reposição de estoque dos clientes downstream, fizeram com que o preço do DDR4 também subisse para o pico deste ciclo.
O setor de memória flash NAND também mantém um forte impulso de alta. O preço contratual do wafer NAND de 512 Gb subiu atualmente para cerca de 25 dólares, superando em muito o preço do mercado à vista. Desde o ponto baixo do ciclo de cerca de 2,5 dólares em fevereiro de 2025, o aumento acumulado já se aproxima de 10 vezes.
Em relação às tendências futuras, a instituição de pesquisa TrendForce reduziu ligeiramente sua previsão de crescimento do preço médio de venda (ASP) do NAND para o segundo trimestre de 2026, ajustando para 55% a 60%; mas, ao mesmo tempo, elevou sua previsão para o quarto trimestre, para 10% a 15%. O modelo de previsão do BofA é semelhante, mas mais conservador, estimando que o crescimento do ASP do NAND no segundo trimestre de 2026 seja de cerca de 65%, no terceiro trimestre de cerca de 13% e no quarto trimestre de cerca de 1%.
Do lado da demanda, os quatro gigantes da tecnologia dos EUA — Amazon, Microsoft, Google e Meta — devem aumentar seus gastos de capital combinados em cerca de 80% ano a ano em 2026, totalizando cerca de 700 bilhões de dólares. Essa tendência continuará a fortalecer a demanda de longo prazo dos data centers por produtos de armazenamento. O BofA tem forte confiança no crescimento de dados nos próximos três a cinco anos, acreditando que, impulsionado por múltiplos fatores, como upload de dados em nuvem, treinamento de IA e a popularização de aplicações de inferência, bem como campos emergentes como "IA física", o volume global de dados medido em Exabytes pode crescer a uma taxa anual superior a 25%. Isso significa que a demanda por armazenamento não se limitará apenas ao treinamento de IA, mas também se espalhará para cenários de inferência e computação de borda, formando uma base de demanda mais sustentável e ampla.
O relatório do BofA também mencionou especificamente que a SanDisk obteve um crescimento explosivo em seu negócio de SSDs empresariais, com a receita relacionada aumentando 7 vezes em relação ao ano anterior. A SanDisk está atualmente promovendo uma tecnologia de "memória flash de alta largura de banda", cujo objetivo é alcançar um desempenho próximo ao da DRAM a um custo muito inferior. Espera-se que este produto seja gradualmente lançado no mercado entre o final de 2026 e 2027, tornando-se uma variável importante no campo do armazenamento empresarial.
No geral, o julgamento central do BofA é que este ciclo de armazenamento ainda não atingiu o pico. Impulsionado pela demanda de IA e data centers, o setor está entrando em um canal de alta estrutural, e o verdadeiro ponto de inflexão entre oferta e demanda pode ocorrer em um futuro mais distante.
Vale a pena notar que os fabricantes de armazenamento da China estão acelerando o ritmo de pesquisa e desenvolvimento da tecnologia DRAM DDR5 para atender à demanda rapidamente crescente dos setores de IA, computação empresarial e eletrônicos de consumo. Seu nível técnico está se aproximando dos três gigantes globais de armazenamento: Samsung Electronics, SK Hynix e Micron. De acordo com o relatório da Yin Technology, o maior fabricante de DRAM da China, CXMT, está acelerando o avanço da rota tecnológica DDR5 e já começou a pesquisar, desenvolver e produzir em massa módulos de DRAM DDR5 de especificações mais altas. Seus módulos de DRAM mais recentes já atingiram uma velocidade de transferência de 8000 MT/s, cobrindo partículas de 16 Gb e 24 Gb. Ao mesmo tempo, a DRAM de 32 Gb também entrou no mercado consumidor, tornando-se um importante motor para a atualização da indústria de armazenamento doméstica da China.
