SK Hynix estuda aprofundar cooperação em NAND com a Kioxia do Japão

De acordo com pt.wedoany.com-Em 27 de agosto, o CEO da SK Hynix, Kwak Noh-jung, declarou em West Lafayette, Indiana, nos Estados Unidos, que a empresa está estudando aprofundar ainda mais a cooperação com a Kioxia do Japão e avaliando cuidadosamente como expandir o mercado de memória flash NAND em conjunto com clientes e fornecedores. Sobre os arranjos de participação da SK Hynix na Kioxia, Kwak afirmou que "não há planos definidos" no momento e que a empresa ainda não definiu o esquema de participação acionária subsequente.

A SK Hynix e a Kioxia mantêm atualmente uma relação de capital indireta. Documentos anuais da Kioxia mostram que, até 31 de março de 2026, a BCPE Pangea Cayman2 detinha 77,4 milhões de ações da Kioxia, correspondentes a 14,17% das ações ordinárias emitidas. A SK Hynix detém títulos conversíveis em ações que representam quase todos os direitos de voto da BCPE Pangea Cayman2; de acordo com o acordo entre as partes, sem o consentimento da Kioxia, a SK Hynix não poderá deter mais de 15% do total de direitos de voto da Kioxia até 2028. Até o final de março de 2026, os referidos títulos ainda não haviam sido convertidos.

Em 10 de agosto, a Kioxia confirmou que a BCPE Pangea Cayman2 se tornou o maior acionista da empresa. Até 3 de agosto, essa entidade ainda detinha 77,4 milhões de ações, correspondentes a 14,19% dos direitos de voto; a participação da Toshiba caiu para 77.038.200 ações, com direitos de voto reduzidos a 14,12%, passando de maior acionista para o segundo lugar. O número de ações detidas pela BCPE Pangea Cayman2 antes e depois dessa mudança na ordem dos acionistas permaneceu em 77,4 milhões.

No mesmo dia em que Kwak fez as declarações acima, a Kioxia e a Sandisk anunciaram uma nova rodada de planos de investimento em memória flash no Japão. As duas partes planejam investir mais de US$ 31 bilhões, aproximadamente 5 trilhões de ienes, até 2032, com recursos destinados às fábricas de Yokkaichi e Kitakami, bem como a infraestrutura e tecnologias relacionadas. A implementação do investimento está condicionada ao apoio governamental. Em janeiro deste ano, as duas partes já haviam estendido o acordo da joint venture de Yokkaichi até dezembro de 2034, com o escopo de cooperação incluindo o desenvolvimento e a fabricação conjuntos de wafers de memória flash.

No mesmo dia, a Kioxia iniciou a preparação do terreno e os trabalhos relacionados para a construção da Fab3 na fábrica de Kitakami, província de Iwate. A Fab3 está localizada ao sul da Fab2 existente e está planejada para produzir memória flash 3D avançada BiCS FLASH, com meta de início das operações no ano fiscal de 2029. O cronograma específico de construção e os planos de investimento em equipamentos serão determinados de acordo com as condições do mercado, e os planos de investimento relacionados também estão condicionados ao apoio governamental.