Sumitomo Chemical do Japão inicia produção em massa de wafers epitaxiais de fosfeto de índio de 4 polegadas, com vendas projetadas em dezenas de bilhões de ienes

De acordo com pt.wedoany.com-Em 31 de agosto, a Sumitomo Chemical anunciou o estabelecimento de um sistema de produção em massa de wafers epitaxiais de fosfeto de índio (InP) de 4 polegadas na Fábrica de Ibaraki (cidade de Hitachi, província de Ibaraki) e o início de suas vendas. Como um dos poucos fabricantes especializados no Japão capazes de produzir wafers epitaxiais de InP de forma estável, a Sumitomo Chemical apoiará com isso o desenvolvimento da próxima geração de infraestrutura digital, como data centers de IA.

Os wafers epitaxiais de InP são materiais essenciais para a realização de dispositivos optossemicondutores de alto desempenho, capazes de converter eficientemente sinais elétricos em sinais ópticos e vice-versa. Com a popularização da IA generativa e a expansão da IoT, da computação em nuvem e da infraestrutura de redes de comunicação, a demanda por processamento de dados em alta velocidade e grande capacidade continua crescendo em diversos setores. Os data centers de IA enfrentam dois desafios globais: consumo de energia e carga de processamento de informações. A tecnologia de integração fotorônica é considerada uma solução fundamental, e a aplicação de wafers epitaxiais de InP em data centers de próxima geração e redes de alta velocidade está se expandindo rapidamente.

A fabricação de wafers epitaxiais de InP exige controle preciso da composição do material e do estado da superfície durante o processo de crescimento epitaxial em alta temperatura, envolvendo gerenciamento complexo de processos, como o manuseio de gases precursores. A Sumitomo Chemical aplicou à produção de wafers epitaxiais de InP as tecnologias de controle de composição, acumulação de filmes finos e controle de processos de crescimento cristalino acumuladas ao longo de mais de 25 anos de produção em massa de wafers epitaxiais de arsenieto de gálio (GaAs) e nitreto de gálio (GaN), alcançando simultaneamente alta qualidade e alta produtividade.

A Sumitomo Chemical tem como meta alcançar vendas de 10 bilhões de ienes na linha de produtos de wafers epitaxiais de InP até meados da década de 2030. A empresa planeja incorporar os wafers epitaxiais de InP à sua linha existente de materiais semicondutores compostos (incluindo substratos de GaN, wafers epitaxiais de GaN e wafers epitaxiais de GaAs), expandindo ainda mais os mercados em crescimento, como comunicações sem fio, semicondutores de potência e data centers.

No âmbito da concorrência industrial, outra empresa do grupo Sumitomo, a Sumitomo Electric, anunciou em julho de 2026 um investimento de 18 bilhões de ienes para expandir a produção de substratos de InP, com a meta de aumentar a capacidade para 3,1 vezes o nível de 2024 até 2028. Paralelamente, a chinesa Wuhan Tianyuan Environmental Protection adquiriu 60% das ações da Zhongxun Semiconductor por 7,5 milhões de yuans, entrando no mercado de substratos de InP, com planos de investimento adicional de 67 milhões de yuans. A corrida de capacidade na indústria está se intensificando.