Samsung desenvolve HBM4E de 8 camadas com meta de 17–18 Gbps e pode se tornar fornecedor-chave de HBM personalizado para a NVIDIA

De acordo com pt.wedoany.com-Em 28 de agosto, fontes da cadeia de semicondutores da Coreia do Sul afirmaram que a Samsung Electronics está desenvolvendo HBM4E de 8 camadas conforme os requisitos personalizados da NVIDIA, com meta de velocidade de transmissão de 17–18 Gbps por pino, e o produto deverá ser adaptado à nova arquitetura de memória de alta largura de banda personalizada NVHBM, lançada pela NVIDIA. Os produtos HBM4E previamente planejados pela Samsung incluem versões de 8, 12 e 16 camadas, sendo que o produto de 12 camadas já foi enviado como amostra a clientes globais em maio deste ano.

O HBM4E de 12 camadas atualmente divulgado pela Samsung possui capacidade de 48 GB, utilizando o processo DRAM 1c de sexta geração em escala de 10 nm e um die lógico de base de 4 nm da fundição da Samsung, com velocidade estável de operação de 14 Gbps, expansível até 16 Gbps, e largura de banda máxima por pilha de aproximadamente 3,6 TB/s. A empresa também planeja uma versão de 8 camadas com 32 GB e uma versão de 16 camadas com 64 GB. Se o produto de 8 camadas desenvolvido desta vez para atender às necessidades da NVIDIA atingir 17–18 Gbps, isso aumentará ainda mais a velocidade de operação do HBM4E existente.

A NVIDIA lançou oficialmente o NVHBM em 26 de agosto, adotando-o como tecnologia de die lógico de base para HBM personalizado sob a arquitetura NVLink Fusion, realizando design e validação em conjunto com fabricantes de memória. De acordo com os dados divulgados pela NVIDIA, a largura de banda de memória por pilha do NVHBM pode ser até 30% maior em comparação ao HBM4E padrão, e o consumo de energia do HBM pode ser reduzido em 15%; a área do PHY e das regiões de suporte relacionadas pode ser reduzida em até 67%, liberando até cerca de 30% de área adicional de silício para o die de computação principal. Essa tecnologia é voltada principalmente para plataformas personalizadas de XPU e CPU que utilizam NVLink Fusion.

A pilha de 8 camadas também reduz a complexidade do processo de fabricação na etapa final do HBM. Com o aumento do número de camadas do HBM, é necessário reduzir ainda mais a espessura dos dies DRAM e realizar empilhamento de alta precisão, o que impõe requisitos mais rigorosos para ligação, dissipação de calor e controle de rendimento. Em março deste ano, a Samsung também demonstrou a tecnologia de ligação híbrida de cobre para produtos HBM de 16 camadas ou mais, com o objetivo de reduzir a resistência térmica em mais de 20% em comparação à ligação termocompressiva tradicional. A solução de 8 camadas, por sua vez, reduz o número de camadas empilhadas enquanto aumenta a taxa de transmissão.

A configuração de HBM do próximo Rubin Ultra da NVIDIA também está sendo ajustada. Dados da TrendForce mostram que a NVIDIA utilizou HBM4E de 12 camadas como configuração de referência para o Rubin Ultra de 2025 até o primeiro semestre de 2026, e desde o terceiro trimestre deste ano passou a avaliar simultaneamente configurações como HBM4E de 8 camadas, HBM4 de 12 camadas e HBM4 de 8 camadas, sendo que a especificação final ainda não foi definida. Os ajustes envolvem principalmente fatores como a escassez de oferta de DRAM em 2027 e o rendimento de validação e produção em massa do HBM4E de 12 camadas.

O plano de sistema Rubin Ultra divulgado pela NVIDIA inclui três escalas de expansão NVLink: NVL72, NVL144 e NVL576, sendo o NVL576 a configuração máxima; o design do próximo rack Kyber pode acomodar 144 GPUs por rack, podendo ainda formar domínios de computação NVLink de maior escala.