De acordo com notícias do Wedoany, recentemente, a Sunfar da China divulgou o "Anúncio sobre a inspeção e aceitação bem-sucedida do 'Projeto de Enchimento e Armazenamento de Tetraetil Ortossilicato' da subsidiária integral".
De acordo com o anúncio, a Sunfar alcançou recentemente uma capacidade de produção e enchimento de 8.000 toneladas/ano de tetraetil ortossilicato de alta pureza. A linha de produção especial para "8.000 toneladas/ano de tetraetil ortossilicato de alta pureza", expandida pela subsidiária controladora Tangshan Sunfar New Materials Co., Ltd. (doravante "Sunfar New Materials"), já foi concluída e entrou em operação; o novo "Projeto de Enchimento e Armazenamento de Tetraetil Ortossilicato" da subsidiária integral Tangshan Sunfar Electronic Materials Co., Ltd. (doravante "Sunfar Electronic Materials") também foi concluído recentemente, passou na inspeção e aceitação e obteve as aprovações e licenças pertinentes. O investimento total desses dois projetos foi de 17 milhões de RMB.
Segundo informações, o tetraetil ortossilicato de grau eletrônico é um material precursor à base de silício para semicondutores, utilizado principalmente em chips de memória, chips lógicos, etc.
