O Instituto Fraunhofer de Sistemas de Energia Solar (Fraunhofer ISE), da Alemanha, alcançou recentemente um avanço significativo em tecnologia fotovoltaica. Sua equipe de pesquisa confirmou que o uso de camadas de passivação de túnel de óxido (TOPCon) assimétricas do tipo n e p pode resultar em dopagem in situ, melhorando substancialmente a qualidade do material dos wafers de silício de crescimento epitaxial (EpiWafers). Esta tecnologia inovadora tem o potencial de impulsionar a produção em larga escala de células solares de baixo carbono.