Eficiência ultraelevada do módulo de 24,8%

Design frontal sem linhas de grade, com potência máxima de até 670 W, impulsionando de forma contínua o desempenho de geração de energia.

Tecnologia HPBC 2.0

Wafers de silício TaiRay + tecnologia HPBC 2.0; coeficiente de temperatura de -0,26%/°C, proporcionando maior capacidade de geração.

Design de condução fraca

Alta resistência ao sombreamento e prevenção de pontos de alta temperatura localizados.

Ultrabaixa degradação por 30 anos

Degradação linear ultrabaixa de apenas 0,35% ao ano, resultando em um aumento de 1,55% na geração total de energia ao longo de todo o ciclo de vida de 30 anos.