Tecnologia HPBC 2.0

Wafers de silício TaiRay + tecnologia HPBC 2.0, com eficiência máxima de até 27%, alcançando o avanço do último 1% de eficiência absoluta das células de silício cristalino.

Resistente a altas temperaturas

Coeficiente de temperatura de potência de -0,26%/°C, garantindo melhor desempenho de geração em ambientes de alta temperatura.

Resistência ao sombreamento e prevenção de superaquecimento localizado

Alta tolerância ao sombreamento, com menores perdas de potência.

Prevenção eficaz de pontos quentes, eliminando riscos de incêndio.

Tecnologia OBB

Desenvolvimento inovador da estrutura OBB, sem linhas de grade na face frontal e sem barramentos principais na face traseira.