De acordo com pt.wedoany.com-A Samsung Electronics já começou a fornecer amostras de sua próxima linha de produtos HBM4E (Memória de Alta Largura de Banda de quarta geração aprimorada) de 12 camadas aos clientes. O número de camadas empilhadas implementadas neste produto em um chip lógico de 4 nm é uma novidade no setor, marcando um avanço tecnológico na próxima geração de memórias de alta largura de banda (HBM). Diferente da abordagem dos concorrentes, que empilham produtos DRAM em um interposer passivo, este produto inovador da Samsung utiliza uma fina camada de silício para rotear sinais entre a memória e a GPU.
A Samsung afirma que a HBM4E foi projetada para atender às necessidades básicas de memória para computação de IA e infraestrutura de hiperescala, oferecendo uma velocidade de pino estável de 14 Gb/s, com desempenho escalável até 16 Gb/s, um aumento de 20% em relação à geração anterior HBM4, além de uma largura de banda de memória de até 3,6 TB/s por pilha. Este produto oferece capacidade de 48 GB. A empresa sul-coreana afirma que, em comparação com a geração anterior, a estrutura de encapsulamento aprimorada resulta em um aumento de 16% na eficiência energética e uma melhoria de mais de 14% nas características de resistência térmica.
A Samsung afirma que, desde o início da produção da linha de produtos HBM4 em fevereiro, a empresa recebeu feedback dos clientes e planeja iniciar a produção em massa da HBM4E após o envio inicial das amostras e otimizações. Sang Joon Hwang, vice-presidente executivo e chefe de desenvolvimento de memória da Samsung, declarou: "Após o sucesso na produção em massa da HBM4, a Samsung mais uma vez demonstra suas vantagens tecnológicas únicas com a HBM4E. Com nossa capacidade de fabricação avançada e investimentos preventivos em infraestrutura, continuaremos a impulsionar o crescimento do mercado global de memória para IA."
A Samsung tem surfado a onda da demanda por memória para obter lucros recordes, aproveitando o crescimento da demanda por componentes de memória por parte dos construtores de infraestrutura de IA. Como um dos três principais fabricantes de memória, a Samsung aumentou os preços dos componentes em meio ao aumento da demanda, ao mesmo tempo que prevê que suas vendas de HBM mais que triplicarão em 2026. A empresa sul-coreana garantiu pedidos para fornecer HBM4 para a próxima plataforma Vera Rubin da Nvidia, competindo acirradamente com a rival SK Hynix. A HBM4E foi revelada na GTC 2026, e a exposição anual da Nvidia coincidiu com a assinatura de um acordo entre as duas partes para colaborar em inovações de engenharia de semicondutores, desde pesquisa e desenvolvimento, design até fabricação.
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