De acordo com pt.wedoany.com-Em 18 de junho, a SK Hynix, da Coreia do Sul, anunciou que forneceu amostras de HBM4E empilhado em 12 camadas para seus principais clientes. Este produto é uma DRAM de próxima geração de ultra-alto desempenho voltada para aplicações de inteligência artificial, sendo uma versão aprimorada da memória de alta largura de banda, utilizada principalmente em chips aceleradores de IA e cenários de computação em data centers de grande escala.
O HBM4E é um produto aprimorado após o HBM4, desenvolvido para atender às demandas de maior taxa de transferência de dados, menor consumo de energia e melhor dissipação de calor. A amostra de 12 camadas fornecida pela SK Hynix aumenta a densidade de armazenamento por meio do encapsulamento vertical de múltiplas camadas de DRAM em uma única pilha, com o objetivo de atender às necessidades de armazenamento de alta largura de banda para inteligência artificial generativa, treinamento de grandes modelos e computação de alto desempenho.
Em termos de parâmetros de desempenho, a amostra de HBM4E de 12 camadas pode atingir uma velocidade de processamento de dados de até 16 Gbps por pino. Em comparação com produtos anteriores, a eficiência energética deste produto é melhorada em mais de 20%, ajudando a reduzir a pressão de consumo de energia dos servidores de IA durante operações de alta carga. Para data centers de IA, o desempenho da memória de alta largura de banda não afeta apenas a velocidade de troca de dados dos chips, mas também está diretamente relacionado à eficiência energética geral do sistema, ao design de dissipação de calor e aos custos de implantação do sistema.
A SK Hynix continua a usar e aprimorar tecnologias relacionadas ao MR-MUF no processo de encapsulamento. Este processo melhora a estabilidade estrutural de chips multicamadas e o desempenho de dissipação de calor ao preencher materiais de proteção entre os chips empilhados. De acordo com as informações atuais da imprensa coreana, a resistência térmica deste produto é cerca de 17% menor que a do HBM4, o que é significativo para a operação estável de produtos de empilhamento de alta densidade de 12 camadas.
O fornecimento desta amostra significa que o HBM4E entrou na fase de validação com os clientes. Para a memória de IA, a entrega de amostras é apenas um passo importante antes da produção em massa, que ainda requer testes com clientes, otimização de desempenho, adaptação de plataforma e preparação para fornecimento em lote. A SK Hynix não divulgou a lista específica de clientes, mas seus produtos HBM são voltados há muito tempo para clientes de chips de IA e data centers, e o progresso da validação com os clientes afetará diretamente o ritmo da produção em massa subsequente.
A concorrência no mercado de HBM está se intensificando. A Samsung Electronics já anunciou no final de maio o fornecimento de amostras de HBM4E de 12 camadas para seus principais clientes globais, e a Micron também está avançando no desenvolvimento de produtos de memória de alta largura de banda de próxima geração. O início do fornecimento de amostras de HBM4E de 12 camadas pela SK Hynix fará com que a concorrência entre as duas principais empresas de armazenamento da Coreia do Sul na certificação de clientes e na janela de produção em massa de memórias de IA de próxima geração se antecipe ainda mais.
O que precisa ser observado a seguir é se a SK Hynix conseguirá concluir a otimização de desempenho de acordo com o ritmo de validação dos clientes e promover a entrada do HBM4E em fornecimento em escala por volta de 2027. Com o aumento contínuo das demandas de largura de banda, capacidade, consumo de energia e dissipação de calor dos servidores de IA, o progresso da produção em massa do HBM4E de 12 camadas se tornará um ponto crucial para avaliar o cenário de fornecimento de memórias de IA de próxima geração.
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