De acordo com pt.wedoany.com-A Samsung Electronics recebeu o título de melhor artigo no simpósio VLSI 2026 com sua tecnologia de transistores empilhados verticalmente, que alcançou o menor passo de porta do setor para transistores empilhados verticalmente.

Os transistores são dispositivos que amplificam ou controlam sinais elétricos e são considerados fundamentais para o desempenho dos semicondutores. Os processos tradicionais aumentam continuamente o número de canais de corrente de 1 para 3 e, em seguida, de 3 para 4, impulsionando o avanço tecnológico.

Essa tecnologia altera significativamente a estrutura dos transistores, empilhando verticalmente aqueles que antes eram dispostos de forma planar. Essa estrutura já foi introduzida em semicondutores de memória, como o V-NAND do NAND flash e a memória de alta largura de banda (HBM) do DRAM, superando as limitações de área por meio do empilhamento, e agora deve ser aplicada a semicondutores de sistema. Após o empilhamento vertical, a área ocupada pelo transistor é reduzida pela metade, e a densidade de integração por unidade de área teoricamente dobra, o que significa que é possível colocar o dobro de transistores em uma pastilha de mesma área.

Antes da publicação do artigo, o menor passo de porta do setor para transistores empilhados verticalmente era de 48 nanômetros. A equipe de pesquisa da Samsung o reduziu para 42 nanômetros, alcançando um processo mais refinado. A eficiência energética é proporcional ao número de transistores por unidade de área. Como a estrutura de empilhamento vertical dobra o número de transistores, a eficiência energética também dobra. Nos processos semicondutores tradicionais, o desempenho geralmente melhora cerca de 15% a cada geração, enquanto a estrutura de empilhamento vertical, devido à duplicação do número de transistores, pode teoricamente aumentar o desempenho em 100%. O artigo obteve 8,29 pontos em uma escala de 10 no simpósio VLSI, ficando entre os primeiros entre mais de 1.000 artigos submetidos, abrindo um novo caminho para os semicondutores lógicos de próxima geração.

Este texto foi elaborado por Wedoany. Qualquer citação por IA deve indicar a fonte “Wedoany”. Em caso de infração ou outros problemas, informe-nos prontamente, por favor. O conteúdo será corrigido ou removido. E-mail: news@wedoany.com