De acordo com pt.wedoany.com-Em 30 de junho, o Diretor de Tecnologia da Samsung Electronics e Diretor do Instituto de Pesquisa de Semicondutores, durante uma reunião interna de gestão da divisão de Soluções de Dispositivos DS, divulgou os progressos mais recentes no desenvolvimento de duas tecnologias principais de memória, abrangendo a memória de alta largura de banda HBM4E para a próxima geração de IA e o processo D1d, a sétima geração de DRAM de 10 nanômetros.
Em relação ao progresso do desenvolvimento do produto HBM4E, o executivo revelou no local que a taxa de rendimento atual dos testes de confiabilidade do produto já ultrapassou 70%. Nos critérios de avaliação comuns da indústria, uma taxa de rendimento de 80% ou mais é considerada o limiar de maturidade para a definição do processo e produção estável em massa. Considerando o estágio atual do produto, o HBM4E ainda está na fase de amostragem para validação de confiabilidade, sem ter entrado no ciclo de rampagem de produção em larga escala. A taxa de rendimento de teste acima de 70% é vista pela cadeia industrial como um sinal crucial, indicando que o desenvolvimento de todo o conjunto de processos de empilhamento, encapsulamento e teste já entrou em uma faixa de convergência e estabilidade, e espera-se que o ritmo de melhoria da taxa de rendimento acelere continuamente.
O roteiro de produto divulgado publicamente mostra que, em fevereiro deste ano, a Samsung já realizou a primeira remessa externa em lote do HBM4, o primeiro do setor; em 29 de maio, divulgou oficialmente os parâmetros técnicos completos do HBM4E na especificação de empilhamento de 12 camadas e enviou amostras de engenharia em lote para os principais clientes globais de chips de IA.
O posicionamento do produto distingue claramente as duas gerações de produtos iterativos. O HBM4 acompanha o chip acelerador de IA Vera Rubin da NVIDIA, que será lançado no segundo semestre deste ano, enquanto a versão aprimorada HBM4E está planejada para abastecer o novo hardware de computação de próxima geração Vera Rubin Ultra da NVIDIA, a ser lançado no próximo ano. O HBM4E de 12 camadas é fabricado com base no processo DRAM de sexta geração 1C, com taxa de pinos base de 14 Gbps, expansível até 16 Gbps, e indicadores de largura de banda, dissipação de calor e eficiência energética totalmente otimizados em comparação com o HBM4, sendo especialmente adaptado para cenários de computação de alto desempenho, como treinamento de modelos de grande escala e data centers de alta densidade.
Na mesma reunião interna, executivos da Samsung também apresentaram o progresso do desenvolvimento do processo de DRAM de próxima geração. O processo de DRAM de sétima geração na faixa de 10 nanômetros, codinome D1d, foi avaliado internamente pela empresa como tendo uma vantagem competitiva tecnológica sobre os concorrentes. O cronograma do projeto é claro, com o objetivo de concluir a certificação de prontidão para produção, ou seja, o processo PRA comum no setor, em novembro de 2026. A certificação PRA é o elo central de pré-requisito para a transição do processo de DRAM da pesquisa para a preparação da produção em massa. Após a aprovação da certificação, a empresa iniciará oficialmente a introdução em lote de equipamentos de produção em massa, a reforma de linhas de produção limpas e a produção experimental em grande escala do processo.
De acordo com os dados, o D1d é o nó de DRAM de sétima geração planejado pela Samsung, com largura de linha na faixa de 10 a 11 nanômetros, representando uma miniaturização adicional em comparação com a atual DRAM 1C de sexta geração, comercialmente dominante. Ele adota uma nova arquitetura de célula combinada com um esquema de transistor GAAFET correspondente, otimizando simultaneamente a densidade de armazenamento por wafer e a capacidade de controle de consumo de energia. No futuro, servirá como o wafer de armazenamento subjacente para a próxima geração de memória de alta largura de banda da série HBM5.
Atualmente, a Samsung divulgou apenas os indicadores de pesquisa e desenvolvimento e o cronograma acima mencionados na reunião interna de gestão, sem emitir um comunicado oficial completo ao público. Ainda não foram divulgados o cronograma de produção em massa do HBM4E, o plano detalhado de aquisição de equipamentos para o processo D1d e a escala de nova capacidade de produção.
