De acordo com pt.wedoany.com-Em Higashihiroshima, província de Hiroshima, Japão, a Micron Technology deu início oficialmente a um projeto de expansão de fábrica no valor total de 1,5 trilhão de ienes (cerca de 9,3 bilhões de dólares), com a cerimônia de lançamento da pedra fundamental realizada em 4 de julho de 2026, horário local. Este é o posicionamento central de capacidade da Micron para atender ao explosivo crescimento da demanda por armazenamento na era da inteligência artificial, sendo também um projeto-chave para o Japão revitalizar sua cadeia industrial de semicondutores. O Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão fornecerá subsídios de até 500 bilhões de ienes para o projeto.
A fábrica de Hiroshima possui um legado de mais de 35 anos na fabricação de semicondutores, refletindo as transformações da indústria de armazenamento japonesa. Inaugurada em 1988 como fábrica da NEC em Hiroshima, foi integrada à Elpida Memory em 2003 com a consolidação da indústria japonesa de DRAM. Após a aquisição da falida Elpida pela Micron em 2013, tornou-se oficialmente a principal entidade operacional da Micron no Japão. O primeiro wafer de HBM em volume de produção da história da Micron foi fabricado aqui. A área ao redor da fábrica também abriga fabricantes de materiais upstream, como fotorresistes, gases eletrônicos especiais e wafers de silício, permitindo que cerca de 80% das matérias-primas de produção sejam adquiridas localmente, destacando-se pela estabilidade da cadeia de suprimentos e pela capacidade de suporte ao processo.
O principal vetor tecnológico desta expansão é a DRAM de processo 1γ (1-gamma) da Micron, o nó tecnológico de DRAM mais avançado do mundo atualmente. Esta tecnologia baseia-se no acúmulo técnico das duas gerações anteriores de processos, 1α e 1β, e aplica pela primeira vez a litografia ultravioleta extrema de forma abrangente na fabricação de DRAM, combinada com novos esquemas de processo HKMG e CMOS. Em comparação com a geração anterior de processo 1β, a DRAM 1γ reduz o consumo de energia em mais de 20%, aumenta a densidade de armazenamento em mais de 30% e dobra o desempenho por bit, sendo capaz de atender às necessidades de armazenamento de alto desempenho em múltiplos cenários, como computação de IA, eletrônicos de consumo de ponta, veículos inteligentes e data centers em nuvem. Além dos produtos DRAM padrão, a nova linha de produção também focará na capacidade de memória de alta largura de banda (HBM), abrangendo produtos de ponta voltados para a potência computacional de IA, como HBM4 e HBM4E. Atualmente, o HBM4 que a Micron está desenvolvendo para a plataforma Vera Rubin da NVIDIA já entrou em fase de produção em massa.
De acordo com o planejamento do projeto, esta expansão construirá uma nova sala limpa de produção com área de 28.000 metros quadrados, adotando um modelo de fases para avançar na construção e instalação de equipamentos. A linha de produção deverá iniciar embarques comerciais no verão de 2028 e atingir capacidade total em 2030, quando a capacidade mensal de wafers atingirá 40.000 unidades. O Ministro da Economia, Comércio e Indústria do Japão, Ryosei Akazawa, presente na cerimônia de lançamento da pedra fundamental, afirmou que a Micron é atualmente o único fabricante de DRAM no Japão e que este investimento tem valor estratégico para o ecossistema de semicondutores japonês. De acordo com dados da Counterpoint Research, no primeiro trimestre de 2026, a SK Hynix detinha 58% do mercado global de HBM, enquanto a participação de mercado da Micron subiu de 9% no final de 2024 para cerca de 21% no final de 2025, ultrapassando a Samsung para se tornar a segunda maior do mundo. Esta expansão da fábrica de Hiroshima é uma operação crucial para a Micron reduzir a diferença em relação ao líder do setor e disputar a dominância no mercado de armazenamento para IA.
