De acordo com pt.wedoany.com-A Tower Semiconductor, empresa global de foundry de wafers de processos especiais, anunciou que, com o apoio de US$ 1 bilhão do Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão, lançará um plano de expansão estratégica de dupla via, focado no aumento da capacidade de produção de silício fotônico (SiPho) em wafers de 300 mm (12 polegadas), silício-germânio (SiGe) e empacotamento avançado.

De acordo com o plano, a Tower Semiconductor investirá cerca de US$ 3 bilhões (aproximadamente RMB 20,295 bilhões) para expandir significativamente sua capacidade de produção de silício fotônico de 12 polegadas, silício-germânio e empacotamento óptico avançado no Japão, visando atender ao crescimento do mercado de interconexão óptica de alta velocidade impulsionado pelo aumento da demanda computacional em inteligência artificial e data centers.

O plano de expansão será implementado em duas fases. A primeira fase concentra-se em aumentar substancialmente a capacidade de produção de dispositivos de silício fotônico de 12 polegadas, com previsão de início de produção total no quarto trimestre de 2027. Esta fase inclui a reforma da fábrica Arai (antiga Fab 6) na província de Niigata, para dotá-la de capacidade de produção de dispositivos de silício fotônico de 12 polegadas e empacotamento avançado, além de sinergia com a fábrica Fab 7, localizada em Uozu, província de Toyama, maximizando a capacidade de produção de 12 polegadas. Com base nas perspectivas de crescimento da primeira fase, a Tower Semiconductor revisou suas metas financeiras de longo prazo, planejando alcançar uma receita de US$ 3,6 bilhões e um lucro líquido de US$ 1,2 bilhão em 2028.

A segunda fase, iniciada simultaneamente com a primeira, consiste na construção de uma nova fábrica de semicondutores de 12 polegadas ao lado da fábrica Fab 7. A construção começará após a assinatura e conclusão dos acordos relevantes. Após a entrada em operação, espera-se que esta fábrica multiplique a capacidade de produção de silício fotônico e silício-germânio da Tower Semiconductor, atendendo à crescente demanda dos clientes em aplicações de inteligência artificial e data centers, e impulsionando o desenvolvimento de tecnologias de interconexão óptica de próxima geração.

A Tower Semiconductor afirmou que, ao estabelecer capacidades avançadas de fabricação de silício fotônico e silício-germânio no Japão, não apenas fortalecerá o ecossistema de semicondutores e a resiliência da cadeia de suprimentos do Japão, mas também criará valor de longo prazo para a empresa e a indústria local.