De acordo com pt.wedoany.com-Em 30 de julho, segundo informações da Samsung Electronics, a segunda fábrica de wafers da empresa em Taylor, Texas, EUA, deverá iniciar a construção no final deste ano.
A Samsung Electronics realizou uma teleconferência de resultados no mesmo dia para apresentar o plano de desenvolvimento de negócios para o segundo semestre. A empresa afirmou que a expansão da capacidade de produção de processos avançados das fundições não está acompanhando o ritmo do crescimento da demanda, e a construção da primeira fábrica de wafers em Taylor, EUA, está progredindo de forma ordenada com a meta de iniciar a produção em 2026. A empresa está se preparando para o início da construção da segunda fábrica de wafers em Taylor no final deste ano, com previsão de que a fábrica entre em operação em 2030 para atender à demanda crescente.
A Samsung Electronics prevê que a escassez de chips de memória se intensificará no próximo ano, com os provedores de serviços em nuvem de grande escala expandindo os investimentos em inteligência artificial (IA) e infraestrutura, impulsionando ainda mais a demanda por servidores, SSDs e memória de alta largura de banda (HBM). A Samsung afirmou que já assinou contratos com cinco dos maiores clientes de data centers do mundo e que as negociações com outros cinco grandes clientes relacionados à IA estão em fase final. O setor especula que os "cinco maiores clientes de data centers" mencionados pela Samsung são Amazon Web Services, Microsoft, Google, Meta e Oracle.
A Samsung prevê que as vendas de memória de alta largura de banda de sexta geração (HBM4) no terceiro trimestre crescerão mais de duas vezes em relação ao trimestre anterior, e que as vendas de HBM4 no segundo semestre representarão mais de 60% do total de vendas de HBM. A empresa propôs aumentar a participação global de mercado de HBM no segundo semestre para um nível equivalente ao da DRAM síncrona dinâmica de acesso aleatório (DRAM). No primeiro trimestre deste ano, a participação global de mercado da Samsung Electronics em DRAM foi de 38%.
