SK Hynix e SanDisk divulgam padrão HBF nos EUA, com até 512 GB

De acordo com pt.wedoany.com-A SK Hynix anunciou em 4 de agosto que, em parceria com a SanDisk, divulgou a primeira especificação padrão da nova tecnologia de armazenamento de alta largura de banda flash (HBF, High Bandwidth Flash). A especificação foi lançada no primeiro dia da feira FMS 2026, realizada em Santa Clara, Califórnia, apenas seis meses após a aliança entre as duas empresas.

O HBF posiciona-se entre a memória de alta largura de banda (HBM) e os SSDs, sendo que a primeira se destaca pela velocidade de processamento de dados e o segundo pela vantagem do armazenamento de grande capacidade. Com a expansão contínua dos modelos de IA de inferência e o rápido crescimento do volume de dados, as arquiteturas de memória existentes já não conseguem atender simultaneamente a velocidade e capacidade. O HBF adota configurações de empilhamento NAND de 8 e 16 camadas, suportando até 512 GB de capacidade, e oferece largura de banda de 0,4 TB/s a 3,0 TB/s conforme o nível de desempenho.

Para promover a adoção da tecnologia, o padrão também se concentra na construção de um ecossistema aberto. Ao adotar a interface padrão da indústria UCIe, o HBF pode conectar-se de forma flexível a diversos processadores, como GPUs e CPUs, e as especificações já foram publicadas pela OCP (Open Compute Project), a maior organização de colaboração de data centers do mundo. Atualmente, o Google e a Tenstorrent já se juntaram à aliança HBF para impulsionar o desenvolvimento da tecnologia.

A SK Hynix propôs no local da feira que, para se adaptar à era da "IA agêntica", é necessário construir uma arquitetura de memória em camadas. O chefe de divisão Kim Chun-sung e o diretor Kang Wook-sung farão discursos principais, e ambos acreditam que o volume de dados em rápido crescimento não pode ser gerenciado por nenhum produto de armazenamento único; integrar e otimizar vários tipos de memória com características distintas em uma estrutura unificada é a base da próxima geração de infraestrutura de IA.

As discussões de cooperação com grandes empresas de tecnologia globais também continuarão. Em 6 de agosto, será realizado um painel de discussão focado em romper o "memory wall", com a participação de representantes do Google DeepMind e da SanDisk, onde representantes de empresas das áreas de memória, armazenamento e software de IA discutirão as possíveis mudanças estruturais e melhorias de desempenho que o HBF pode trazer em ambientes de serviço reais.

A nova tecnologia NAND também foi exibida fisicamente no estande. A SK Hynix exibiu publicamente, pela primeira vez no mundo, o wafer e o produto de NAND 4D de 375 camadas da décima geração (V10), atualmente em desenvolvimento. Esse produto oferece desempenho por watt 2,5 vezes superior ao da geração anterior e foi otimizado para ambientes de data centers de IA sensíveis ao consumo de energia.

A empresa planeja iniciar a produção em massa de SSDs empresariais de alto desempenho (eSSD) com NAND de 375 camadas no início do próximo ano.

Kim Chun-sung afirmou: "A ampla adoção da IA torna necessária uma reestruturação fundamental da arquitetura de processamento de dados. Com o HBF, esperamos romper as fronteiras entre memória e armazenamento, contribuindo para melhorar a eficiência geral do sistema."