Navitas Semiconductor e GlobalFoundries: primeiras remessas de dispositivos GaNFast de quinta geração fabricados nos EUA em setembro

De acordo com pt.wedoany.com-Em 1º de setembro, a Navitas Semiconductor confirmou que os primeiros produtos de quinta geração de semicondutores de potência GaNFast fabricados nos EUA começarão a ser enviados em setembro. Os dispositivos são produzidos na fábrica da GlobalFoundries em Burlington, Vermont, utilizando uma plataforma de fabricação de nitreto de gálio sobre silício (GaN-on-Si) de 200 milímetros, sendo os primeiros produtos FETs de GaN de 650V.

Os produtos de lançamento oferecem cinco especificações de resistência de condução (RDS(on)): 11mΩ, 18mΩ, 50mΩ, 120mΩ e 150mΩ. De acordo com o cronograma de entrega divulgado por ambas as partes, as primeiras bolachas de silício serão enviadas em setembro, entrarão na fase de amostras internas em outubro, e amostras para determinados clientes estratégicos estão previstas para serem fornecidas até o final de 2026.

A Navitas Semiconductor ajustou a arquitetura dos dispositivos e o processo de fabricação da linha Gen 5 GaNFast para o processo GaN-on-Si de 200 mm da GlobalFoundries. O escopo da colaboração entre as duas partes abrange tanto FETs GaNFast quanto circuitos integrados de potência, com os produtos voltados para aplicações de alta potência, como data centers de IA, computação de alto desempenho, eletrificação industrial e infraestrutura crítica. Os circuitos integrados de potência GaNFast podem integrar funções de chaveamento de potência, driver, controle, detecção e proteção.

As duas partes assinaram um acordo estratégico de cooperação de longo prazo em novembro de 2025, quando definiram o desenvolvimento e a fabricação da próxima geração de dispositivos GaN na fábrica da GlobalFoundries em Burlington, com o início do desenvolvimento programado para o início de 2026 e a entrada em produção ainda em 2026. O envio das primeiras bolachas de silício em setembro marca a transição dessa cooperação do desenvolvimento inicial de processo para a entrega efetiva de produtos.

A unidade de Burlington da GlobalFoundries é responsável pela fabricação de GaN-on-Si de alta tensão, enquanto a Navitas Semiconductor fornece os dispositivos GaN, o kit de design de processo e a tecnologia de arquitetura dos dispositivos. Os parâmetros dos primeiros produtos divulgados por ambas as partes concentram-se nos FETs de GaN de 650V, sem ainda divulgar a quantidade das primeiras bolachas de silício, o volume de pedidos dos clientes ou o cronograma específico de envio dos circuitos integrados de potência Gen 5 GaNFast.