Aplicação em produção em massa da máquina de afinação totalmente automática de wafer de carboneto de silício de 8 polegadas do CETC

De acordo com pt.wedoany.com-A primeira unidade da máquina de afinação totalmente automática de wafer de dispositivos de carboneto de silício (SiC), desenvolvida de forma independente pela Beijing CETC Company, subsidiária do CETC Electronic Equipment Group (doravante denominado CETC Equipment), foi recentemente entregue com sucesso a uma empresa líder nacional de wafers, alcançando aplicação em produção em massa. Com isso, a empresa formou uma solução completa de afinação nacional líder do setor, abrangendo todo o processo de lingotes de carboneto de silício, wafers e wafers de dispositivos.

Atualmente, a indústria de semicondutores compostos entrou em uma janela crucial de expansão em escala. Com a popularização acelerada de plataformas de alta tensão de 800V em veículos de nova energia, a atualização iterativa de padrões de armazenamento fotovoltaico e a liberação concentrada da demanda por fontes de alimentação para computação de IA, três dividendos de desenvolvimento se sobrepõem, e o mercado tem demanda urgente por dispositivos de potência de carboneto de silício de alto desempenho que atendam a cenários de aplicação automotivos e de computação.

Na fabricação de dispositivos de potência de carboneto de silício, o processo de afinação do verso do wafer é uma das etapas importantes que determinam a resistência térmica, a perda de condução e o rendimento em lote do dispositivo. Devido à alta dureza e difícil usinagem do material de carboneto de silício, o processamento do verso do wafer é propenso a lascamento, microfissuras e até quebra, impondo requisitos rigorosos à rigidez do equipamento de afinação, à supressão de vibração do fuso, ao controle de forma da mesa de suporte e ao controle em malha fechada do processo.

A Beijing CETC Company, focando nas dificuldades do setor, desenvolveu a máquina de afinação totalmente automática de wafer de dispositivos de carboneto de silício. Segundo informações, o equipamento adota uma estrutura de três eixos e quatro estações, integra unidades de transporte automatizado e limpeza, realizando um fluxo de processamento totalmente automático de entrada e saída a seco, comprimindo efetivamente o tempo de circulação do processo. Por meio da combinação de fusos aerostáticos de alta rigidez, baixa vibração e alta potência, rebolos e parâmetros de processo, alcança-se o equilíbrio entre eficiência de processamento e custo de consumíveis. Testes em produção em massa comprovam que wafers de carboneto de silício de 8 polegadas podem ser afiados de forma estável até no mínimo 120 micrômetros, com produção por hora não inferior a 15 peças, e o desvio de espessura dentro do wafer após a afinação é controlado de forma estável em até 3 micrômetros, atendendo plenamente aos requisitos de capacidade e consistência para produção em massa em escala.

Além disso, o equipamento é equipado com fuso aerostático de precisão de alta rigidez desenvolvido internamente, alcançando precisão de movimento rotacional em nível submicrométrico, capaz de realizar uma ampla janela de processo, atendendo à demanda de diversos consumíveis de afinação; simultaneamente, acompanha detecção de carga de alta precisão, permitindo monitoramento em tempo real do processo e alerta precoce de risco de quebra. O software e hardware do equipamento também suportam funções de correção e calibração automática do rebolo.

Sabe-se que este equipamento representa um grande avanço de equipamentos nacionais na etapa de afinação do verso de wafers de carboneto de silício de 8 polegadas, preenchendo a lacuna na fabricação de equipamentos de semicondutores compostos da China e fornecendo garantia sólida para a produção em escala de dispositivos de potência de carboneto de silício no país.