A Infineon, da Alemanha, produziu em Áustria uma wafer de dispositivos de potência de carboneto de silício de 300 mm

De acordo com pt.wedoany.com-Em 9 de novembro, a fabricante alemã de semicondutores Infineon produziu com sucesso, na fábrica de wafers de Villach, na Áustria, dispositivos semicondutores de potência com funcionalidade real a partir de wafers de carboneto de silício de 300 mm, concluindo a verificação de viabilidade de processo desse tamanho de wafer de carboneto de silício em ambiente de fabricação de semicondutores de nível industrial. Este processamento utilizou equipamentos existentes de fabricação de semicondutores à base de silício, promovendo a transição dos dispositivos de potência de carboneto de silício da pesquisa laboratorial para a verificação de processo em fábrica de wafers real. Segundo dados fornecidos pela Infineon, a quantidade de chips produzidos por wafer de 300 mm é aproximadamente 2,3 vezes a de um wafer de 200 mm.

Este resultado foi obtido utilizando os equipamentos existentes de fabricação de semicondutores de silício da fábrica de wafers de Villach para concluir o processamento da wafer. A Infineon introduziu o material de carboneto de silício de 300 mm no ambiente de fabricação de nível industrial, processando com sucesso dispositivos de potência plenamente funcionais, verificando a viabilidade técnica do sistema de equipamentos existente para processar wafers de carboneto de silício de maior dimensão. A empresa posiciona este resultado como um marco de verificação prévia para a futura industrialização da tecnologia de carboneto de silício de 300 mm, e planeja definir, em conjunto com clientes e parceiros industriais, as etapas subsequentes de desenvolvimento de processo e aumento de capacidade produtiva.

A base de pesquisa e fabricação da Infineon em Dresden, na Alemanha, concluiu simultaneamente a verificação de viabilidade da tecnologia de separação a frio (Cold Split) de wafers de carboneto de silício de 300 mm. Este processo é utilizado para separar wafers de lingotes de carboneto de silício e, em comparação com o corte tradicional por fio serrado, permite reduzir a perda de material e encurtar o tempo de processamento, obtendo mais wafers a partir do mesmo lingote. A verificação de separação de wafers em Dresden e o resultado de processamento de dispositivos de potência em Villach abrangem, respectivamente, duas etapas do processo: a preparação de substratos de carboneto de silício e a fabricação de dispositivos em wafer.

A Infineon continuará a promover a rota tecnológica existente de fabricação de carboneto de silício de 200 mm, ao mesmo tempo que definirá, conforme a demanda dos clientes, o cronograma de desenvolvimento do processo de carboneto de silício de 300 mm e o futuro aumento de capacidade produtiva. O portfólio de produtos semicondutores de potência CoolSiC destina-se a aplicações como inversores de tração para veículos de nova energia, carregadores de bordo, infraestruturas de carregamento, armazenamento de energia em larga escala, acionamentos industriais e sistemas de alimentação de data centers. A empresa também lista transformadores de estado sólido, disjuntores de estado sólido e unidades de alimentação como potenciais direções de aplicação da tecnologia de carboneto de silício em data centers de inteligência artificial.

A Infineon planeja apresentar a wafer de carboneto de silício de 300 mm processada nesta ocasião na electronica 2026, feira internacional de componentes eletrónicos que se realizará de 10 a 13 de novembro em Munique, na Alemanha, no estande 502 do pavilhão C3. A wafer será exibida ao público como resultado físico desta verificação de processo.