De acordo com pt.wedoany.com-A SemiQ Inc. expandiu sua série de módulos MOSFET de meia ponte QSiC™ Dual3, adicionando opções de alto desempenho térmico com substrato de nitreto de alumínio (AlN) e material de interface térmica (TIM) pré-aplicado, além de dispositivos de 1700 V. A série é voltada para aplicações como conversores CA-CC e transformadores de estado sólido (SST) em sistemas de alimentação de centros de dados de IA, conversores de rede em sistemas de armazenamento de energia e acionamentos de motores industriais.
Os módulos desta série podem ser usados para construir conversores de potência com eficiência de conversão e densidade de potência líderes do setor. A série inclui dispositivos com diodos Schottky de barreira (SBD) opcionais em paralelo, para reduzir perdas de comutação e melhorar a eficiência em ambientes de alta temperatura. Alguns dispositivos possuem resistência de condução (RDSon) tão baixa quanto 1 mΩ, com níveis de potência de 1150 A e 1200 V, em um encapsulamento de 62 x 152 mm.
O módulo foi projetado para substituir diretamente módulos IGBT, sem a necessidade de grandes reprojetos. Todos os chips MOSFET passam por testes de envelhecimento da camada de óxido de porta em nível de wafer acima de 1450 V. O módulo possui baixa resistência térmica entre junção e invólucro, permitindo o uso de dissipadores de calor menores e mais leves, simplificando assim o projeto do sistema.
O Dr. Timothy Han, presidente da SemiQ, afirmou que os centros de dados precisam operar 24 horas por dia, e maximizar a eficiência é crucial. A série oferece design flexível e densidade de potência líder do setor, suportando front-ends ativos e acionamentos de compressores em aplicações de refrigeração líquida, permitindo reduzir tamanho e peso em comparação com soluções tradicionais de silício IGBT, além de fornecer toda a eficiência do SiC.
O Dr. Timothy Han acrescentou que, com as novas opções de alto desempenho térmico, esses módulos também estão sendo projetados em conversores CA-CC de alimentação principal e SSTs. Isso possibilita a conversão direta de CA de média tensão de 13,8 kV ou 35 kV para CC de alta tensão de 800 V, atendendo às necessidades de operação ultraeficiente dos sistemas de alimentação de centros de dados modernos.
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