Mitsubishi Electric do Japão lança MOSFET de SiC de quinta geração com redução de 25% na resistência de condução

De acordo com pt.wedoany.com-A Mitsubishi Electric Corporation lançou amostras de MOSFETs de carboneto de silício (SiC) de quinta geração, desenvolvidos especificamente para aplicações em sistemas de propulsão de veículos elétricos. A empresa planeja começar a fornecer as amostras gradualmente a partir do final de junho, com o objetivo de utilizá-las em inversores de tração e sistemas eAxle para veículos elétricos (EV), híbridos plug-in (PHEV) e outras plataformas de veículos eletrificados.

O novo produto utiliza a tecnologia proprietária de MOSFET SiC de trincheira da Mitsubishi Electric, projetada para oferecer menores perdas de condução em comparação com a geração anterior. A resistência de condução dos produtos de quinta geração é cerca de 25% menor do que a das soluções atuais, contribuindo para melhorar a eficiência geral de conversão de energia nos sistemas de tração automotiva.

A menor resistência de condução reduz diretamente as perdas nos inversores, aumentando a eficiência da transmissão e utilizando a energia da bateria de forma mais eficaz. Os fabricantes de veículos podem, assim, aumentar a autonomia, ao mesmo tempo que suportam arquiteturas de propulsão mais compactas e eficientes.

A Mitsubishi Electric afirma que os novos MOSFETs SiC foram projetados para apoiar a evolução contínua de inversores de alto desempenho e sistemas eAxle integrados, onde a densidade de potência e a eficiência continuam sendo objetivos-chave de design. Esses dispositivos podem promover a miniaturização dos sistemas e o aprimoramento do desempenho de potência, impulsionando a transição da indústria para veículos eletrificados mais eficientes.

Os avanços na tecnologia de processo de fabricação visam minimizar a degradação de desempenho a longo prazo e reduzir as flutuações de parâmetros críticos, como perda de potência e resistência de condução, ao longo do ciclo de vida do dispositivo. Em ambientes automotivos, a manutenção de características elétricas estáveis durante operação prolongada é especialmente importante, devido aos rigorosos requisitos de confiabilidade e durabilidade.

Ao combinar menores perdas com maior consistência e estabilidade a longo prazo, os novos MOSFETs SiC visam melhorar a durabilidade e o desempenho operacional de inversores xEV e sistemas eAxle.

A Mitsubishi Electric planeja exibir os MOSFETs SiC de quinta geração na PCIM Expo & Conference em Nuremberg, Alemanha, em 2026, bem como em outras feiras do setor no Japão, China e outros mercados internacionais. O produto expande ainda mais o portfólio de carboneto de silício da empresa voltado para aplicações de eletrificação veicular de próxima geração.