De acordo com pt.wedoany.com-A Parapia, empresa especializada em semicondutores de defesa sem fábrica, anunciou no dia 15 que desenvolveu de forma independente, utilizando tecnologia puramente própria, os componentes principais do módulo transceptor (TRM) de banda X: o circuito integrado de micro-ondas (MMIC) de amplificador de potência de 15W em nitreto de gálio (GaN) e o MMIC de amplificador de baixo ruído (LNA) de 2 estágios auto-polarizado em arsenieto de gálio (GaAs).
O TRM é o módulo central que conecta milhares de elementos de antena que compõem o radar de varredura eletrônica ativa (AESA) e é responsável pela transmissão e recepção de sinais. Seu caminho de transmissão é equipado com um MMIC de amplificador de potência (HPA) que amplifica o sinal e o envia para a antena, e o caminho de recepção é equipado com um MMIC de LNA que amplifica o sinal de recepção fraco com o mínimo de ruído.
Esses dois tipos de MMIC são os componentes semicondutores mais importantes que determinam a potência de saída, a sensibilidade do TRM e, consequentemente, o alcance de detecção e a eficiência geral do radar. Anteriormente, os produtos da Empresa U eram amplamente adotados no mercado global.
O amplificador de potência requer o uso de GaN, e o amplificador de baixo ruído requer o uso de GaAs, processos diferentes de semicondutores compostos para alcançar o desempenho ideal. Atender simultaneamente aos problemas de dissipação de calor e eficiência causados pela alta potência, bem como a um fator de ruído extremamente baixo, torna o design extremamente desafiador.
O MMIC do amplificador de potência para TRM de banda X desenvolvido pela Parapia desta vez é baseado no processo GaN HEMT, sendo um amplificador de alta potência de 15W. Seu design é compatível com o produto de referência da Empresa U, podendo ser usado como substituto direto sem modificar o circuito do sistema existente.
A eficiência de potência adicionada (PAE) é um indicador chave do amplificador de potência e recebe atenção direta. A eficiência é um parâmetro central que afeta o aquecimento do TRM, o consumo de energia e a carga geral de resfriamento do sistema de radar. O MMIC desenvolvido desta vez, sob as mesmas condições de saída, teve sua PAE aumentada de cerca de 40% do produto de referência da Empresa U para 45%. Esse aumento foi alcançado mantendo outros indicadores principais, como potência de saída e ganho, em níveis equivalentes aos dos concorrentes.
O MMIC LNA desenvolvido simultaneamente adota uma estrutura de dois estágios baseada no processo GaAs pHEMT, alcançando baixo fator de ruído e ganho suficiente, sendo também compatível pino a pino (pin-to-pin) com o concorrente da Empresa U.
A maior vantagem deste LNA reside no design auto-polarizado. Os LNA GaAs comuns exigem a aplicação separada de uma tensão de porta negativa e uma tensão de dreno positiva para funcionar, além de gerenciar a sequência de alimentação (sequencing), sendo seu uso mais complexo. O LNA auto-polarizado da Parapia funciona diretamente com a aplicação de uma única fonte de alimentação, sem a necessidade de circuitos adicionais de geração de tensão negativa ou circuitos de sequenciamento de polarização, simplificando o design do TRM e do sistema, reduzindo o número de componentes e o custo.
O Professor Yang Young-gu, CEO da Parapia, afirmou que, após o FEM, com a tecnologia de design própria, dominaram o amplificador de potência e o LNA, que equivalem ao coração do TRM, dando mais um passo em direção à produção própria completa dos semicondutores centrais do transceptor. Com isso, agora possuem uma linha completa que cobre as principais linhas de produtos da banda X. Ele enfatizou que superar os concorrentes globais no indicador de eficiência mais importante comprova a capacidade de design, e que expandirão a linha de produtos para as bandas Ku e Ka, contribuindo para a autonomia da tecnologia de semicondutores para defesa e aeroespacial.
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