De acordo com pt.wedoany.com-A IQE e a Tower Semiconductor anunciaram a assinatura de um acordo plurianual de fornecimento de wafers epitaxiais de fosfeto de índio (InP) para apoiar a tecnologia de fotônica de silício voltada para a infraestrutura de datacenters impulsionada por inteligência artificial. O acordo posiciona a IQE como fornecedora estratégica no roteiro de fotônica de silício da Tower, com foco em soluções de interconexão óptica que atendam à demanda de largura de banda de clusters de IA em larga escala.
De acordo com o acordo, a IQE fornecerá wafers epitaxiais de InP para várias plataformas avançadas de fotônica de silício da Tower. A colaboração abrange a tecnologia de transceptores ópticos plugáveis de 200 Gbps por canal, o desenvolvimento de moduladores ópticos de próxima geração de 400 Gbps por canal e a tecnologia de comutação de circuitos ópticos para futuras arquiteturas de datacenters. O contrato inclui compromissos mínimos de compra da Tower e compromissos correspondentes de fornecimento da IQE, estabelecendo uma estrutura para produção em escala de longo prazo.
As duas empresas também resolveram todas as disputas pendentes de propriedade intelectual por meio de outro acordo independente. Como parte do acordo, a Tower concederá à IQE uma licença global e isenta de royalties relacionada às patentes de silício poroso envolvidas em litígios anteriores, encerrando assim todas as ações legais relacionadas.
Jutta Meier, CEO da IQE, afirmou que o acordo consolida a posição da IQE no mercado global de infraestrutura de nuvem e IA de nível 1 de hiperescala. Com décadas de experiência em tecnologia epitaxial de InP e capacidade de fabricação em escala madura, a IQE está pronta para apoiar aplicações de interconexão óptica de próxima geração, impulsionando sua transição da fase de inovação para a implantação comercial.
No campo da fotônica de silício, o InP continua desempenhando um papel crucial em funções ópticas de alto desempenho, como lasers e moduladores. O roteiro discutido entre IQE e Tower está alinhado com a transição da indústria da arquitetura atual de 100 Gbps por canal para motores ópticos de 200 Gbps e, posteriormente, 400 Gbps por canal, visando apoiar clusters de IA de próxima geração. O anúncio também fortalece ainda mais a posição da Tower Semiconductor nos serviços de foundry de fotônica de silício. À medida que provedores de nuvem de hiperescala, fornecedores de módulos ópticos e fabricantes de equipamentos de rede buscam alternativas de modelos de fabricação, a Tower expandiu seu portfólio de fotônica de silício. A resolução da disputa de patentes de silício poroso elimina possíveis interferências e estabelece uma relação de cooperação técnica mais ampla entre as duas empresas, em um contexto de demanda acelerada por interconexão óptica, comutação óptica e tecnologias de fotônica co-embalada.
Este texto foi elaborado por Wedoany. Qualquer citação por IA deve indicar a fonte “Wedoany”. Em caso de infração ou outros problemas, informe-nos prontamente, por favor. O conteúdo será corrigido ou removido. E-mail: news@wedoany.com
