De acordo com pt.wedoany.com-A empresa americana de semicondutores Wolfspeed lançou sua plataforma MOSFET de quinta geração em carboneto de silício (SiC), voltada para sistemas de energia automotivos e industriais de 1200V e 750V da próxima geração, com o objetivo de reduzir a resistência específica de condução (RSP) e melhorar o desempenho em altas temperaturas. Em comparação com soluções SiC de 1200V concorrentes existentes, a nova tecnologia pode reduzir a RSP em até 27%, diminuindo diretamente as perdas de condução e ajudando os projetistas de sistemas a aumentar a capacidade de corrente, melhorar a eficiência do inversor e reduzir o tamanho geral.
Os dois primeiros dispositivos lançados são os modelos QEM50120-025D10 (1200V) e QEM50075-025D10 (750V). O dispositivo de 1200V atinge uma RSP de 3,4 mΩ-cm² a nível de chip a 175°C, enquanto a versão de 750V atinge 2,0 mΩ-cm² na mesma temperatura. Ambas as classes de tensão especificam uma distribuição rigorosa de RDS(ON) de ±18%, ajudando a reduzir os requisitos de margem de projeto em sistemas de alto desempenho.
Os novos MOSFETs são adequados para inversores de tração de veículos elétricos, carregadores de bordo, infraestrutura de carregamento rápido, fontes de alimentação industriais e sistemas de proteção de estado sólido. Perdas de condução e comutação mais baixas podem aumentar a autonomia do veículo, reduzir o tamanho do sistema de arrefecimento e melhorar a densidade de potência; em plataformas de veículos elétricos, suportam projetos de inversores mais compactos e podem reduzir a necessidade de tamanho da bateria para uma determinada autonomia.
Os dispositivos Gen 5 mantêm a estrutura de diodo de corpo macio introduzida na geração anterior, enquanto estendem a temperatura máxima contínua de junção para 200°C, com operação de vida útil limitada até 215°C. Essa combinação melhora o comportamento de recuperação reversa e o desempenho geral de comutação, ao mesmo tempo que suporta a confiabilidade do sistema a longo prazo em ambientes adversos. A produção é baseada na plataforma de fabricação SiC de 200 mm da Wolfspeed em sua fábrica no Vale Mohawk, em Nova York. Os novos produtos da geração foram projetados, certificados e estão prontos para produção em massa utilizando a infraestrutura existente de rápida implantação, permitindo que os clientes transitem da validação do projeto para a produção sem a necessidade de novas ferramentas de fabricação.
As primeiras amostras dos dispositivos Gen 5, QEM50120-025D10 e QEM50075-025D10, já estão disponíveis para clientes selecionados, e espera-se que mais produtos de 750V e 1200V sejam lançados ao longo de 2026 até o início de 2027.
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