De acordo com pt.wedoany.com-A CEA-Leti, principal instituto de pesquisa em microeletrônica da Europa, anunciou o aprofundamento de sua colaboração de longo prazo com a GlobalFoundries. A GlobalFoundries participa como usuária final da linha piloto FAMES, levando a parceria de mais de duas décadas na tecnologia de silício sobre isolante totalmente depletado (FD-SOI) a um novo patamar, com o objetivo de consolidar a posição da Europa em semicondutores autônomos e energeticamente eficientes. Financiado pela Comissão Europeia e pelos Estados-Membros participantes por meio da Empresa Comum de Chips (Chips JU), o FAMES visa acelerar a pesquisa inicial da próxima geração de FD-SOI.
A linha piloto FAMES foca em eficiência energética, sustentabilidade e resiliência tecnológica europeia, com o objetivo de acelerar o desenvolvimento inicial de tecnologias avançadas de semicondutores. A participação da indústria é considerada essencial para garantir que as atividades de pesquisa estejam alinhadas com as necessidades reais de aplicação. A CEA-Leti e a GlobalFoundries colaboram há mais de vinte anos nas tecnologias PD-SOI e FD-SOI, abrangendo várias gerações tecnológicas. Essa cooperação de longo prazo impulsionou a maturidade do FD-SOI, tornando-o uma solução tecnológica diferenciada para aplicações que buscam equilíbrio entre desempenho, eficiência energética e custo.
Um dos resultados dessa colaboração é a plataforma FDX da GlobalFoundries, baseada na tecnologia FD-SOI, desenvolvida em 2018 na fábrica de Dresden, Alemanha. O processo 22FDX da GlobalFoundries oferece desempenho comparável ao dos nós FinFET de 14/16 nm em diversas cargas de trabalho, ao mesmo tempo que proporciona menor consumo de energia e resistência inerente à radiação. Essas características são adequadas para uma ampla gama de aplicações, incluindo dispositivos móveis e de consumo, microcontroladores automotivos, comunicações via satélite, IA de borda e novas arquiteturas de computação. A tecnologia FD-SOI também já é aplicada em ambientes espaciais e outros de alta confiabilidade, onde eficiência energética, controle de variação e robustez são cruciais.
A participação da GlobalFoundries como usuária final da pesquisa inicial na linha piloto FAMES visa impulsionar a melhoria de desempenho do FD-SOI. A colaboração inclui trabalhos exploratórios de aprimoramento de dispositivos e a cooperação em inovações de substratos de próxima geração, abrangendo conceitos de silício tensionado desenvolvidos no âmbito do FAMES e em projetos relacionados envolvendo a Soitec.
Sebastien Dauvé, CEO da CEA-Leti, afirmou que a linha piloto FAMES é um pilar da estratégia europeia para fortalecer a pesquisa e inovação em semicondutores, permitindo acelerar a pesquisa inicial em FD-SOI por meio da inovação conjunta, mantendo o foco na inovação de longo prazo, sustentabilidade e soberania tecnológica europeia. Além dos dispositivos FDX de próxima geração, ambas as partes estão utilizando a linha piloto FAMES para avançar em projetos mais amplos, abrangendo design de RF para amplificadores de potência 5G/6G, memórias não voláteis incorporadas para computação na memória de IA de borda, dispositivos vestíveis biomédicos de ultrabaixo consumo e componentes de segurança cibernética. A GlobalFoundries e a CEA-Leti consideram que o FAMES é um caminho natural para a integração 3D heterogênea das futuras gerações FDX, consolidando ainda mais a versatilidade do FD-SOI como uma plataforma europeia autônoma de silício energeticamente eficiente. Manfred Horstmann, gerente geral e vice-presidente sênior da GlobalFoundries, afirmou que a participação de sua empresa como usuária final da linha piloto FAMES reflete o interesse na pesquisa inicial de FD-SOI e o apoio ao ecossistema europeu de pesquisa em semicondutores. O FD-SOI é amplamente visto como uma tecnologia liderada pela Europa, construída por meio da colaboração contínua entre institutos de pesquisa e a indústria, e iniciativas como o FAMES continuam a impulsionar as tecnologias fundamentais que sustentam a competitividade de longo prazo e a computação energeticamente eficiente.Este texto foi elaborado por Wedoany. Qualquer citação por IA deve indicar a fonte “Wedoany”. Em caso de infração ou outros problemas, informe-nos prontamente, por favor. O conteúdo será corrigido ou removido. E-mail: news@wedoany.com
