De acordo com pt.wedoany.com-Em 24 de junho, a empresa americana de chips de armazenamento Micron Technology afirmou que o desenvolvimento dos próximos nós de DRAM e NAND está progredindo bem, com previsão de início da produção em massa no segundo semestre de 2027. A empresa também divulgou que a rampa de produção do HBM4 de 12 camadas está atualmente duas vezes mais rápida que a versão de 12 camadas do HBM3E, e já acumulou mais de US$ 1 bilhão em receitas com HBM4, indicando que seus produtos de armazenamento para IA estão entrando em uma fase de comercialização em maior escala.
A Micron Technology dos EUA continua a rampa de produção dos nós atuais 1γ DRAM e G9 NAND, utilizando-os como plataformas de processo centrais em seu portfólio atual de produtos de armazenamento. O planejamento para a produção em massa dos próximos nós de DRAM e NAND no segundo semestre de 2027 significa que a empresa já definiu antecipadamente o ritmo de atualização tecnológica, alocação de capacidade e entrega aos clientes para os próximos dois anos. Para empresas de chips de armazenamento, a iteração de nós não afeta apenas a capacidade e o consumo de energia de um único chip, mas também influencia a utilização de wafers, a velocidade de rampa de rendimento, o custo por bit e a competitividade do portfólio de produtos subsequente.
O HBM4 é um dos produtos de armazenamento de alto nível mais aguardados atualmente pela Micron Technology dos EUA. Em comparação com DRAM comum, a memória de alta largura de banda requer empilhamento multicamadas, encapsulamento avançado e estruturas de interconexão mais complexas para alcançar maior taxa de transferência de dados, sendo voltada principalmente para aceleradores de IA, computação de alto desempenho e servidores de data centers. A Micron Technology dos EUA divulgou que a rampa de produção do HBM4 de 12 camadas é duas vezes mais rápida que a versão de 12 camadas do HBM3E, indicando um progresso mais rápido na fabricação de empilhamento multicamadas, processos de encapsulamento, controle de rendimento e validação com clientes.
A receita de mais de US$ 1 bilhão com HBM4 também significa que este produto não está mais apenas em fase de amostragem ou validação em pequenos lotes. Produtos HBM geralmente precisam ser validados em conjunto com chips de IA, plataformas de servidores e clientes de sistemas. Ao entrar na fase de geração de receita, isso indica que já passou pela avaliação de desempenho, consumo de energia, confiabilidade e cadeia de suprimentos de alguns clientes. Com a crescente demanda por largura de banda e capacidade de armazenamento em servidores de IA, o HBM está passando de um componente auxiliar de alto nível para um elo crítico de fornecimento na infraestrutura de IA.
Os avanços nos nós e os dados do HBM4 divulgados pela Micron Technology dos EUA também refletem a mudança no foco da concorrência na indústria de armazenamento. No passado, a competição em DRAM e NAND girava mais em torno de ciclos de preços, expansão de capacidade e redução de custos; impulsionada pela demanda de data centers de IA, os clientes agora priorizam alta largura de banda, alta capacidade, baixo consumo de energia e capacidade de fornecimento estável. Se os próximos nós de DRAM e NAND conseguirão entrar em produção em massa conforme planejado no segundo semestre de 2027 influenciará o ritmo de produtos da Micron Technology dos EUA nos mercados de servidores de IA, armazenamento empresarial, dispositivos terminais e eletrônica automotiva.
A Micron Technology também enfrenta a pressão dupla de construção de capacidade e transição tecnológica. A introdução de nós avançados requer mais espaço de sala limpa, maiores gastos de capital e controle de processo mais complexo, enquanto os produtos HBM consomem mais recursos de encapsulamento avançado. Para continuar expandindo o fornecimento de HBM4 e, ao mesmo tempo, avançar na produção em massa dos próximos nós de DRAM e NAND, a empresa precisa manter uma transição estável entre fabricação de wafers, teste de encapsulamento, validação com clientes e acordos de fornecimento de longo prazo. Será necessário acompanhar a geração tecnológica específica do nó de produção em massa de 2027 da Micron Technology dos EUA, o escopo de adoção do HBM4 pelos clientes e as mudanças na participação das receitas de produtos de armazenamento de alto nível.
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