De acordo com pt.wedoany.com-Em 30 de junho, a ChangXin Memory Technologies assinou um acordo de fornecimento de longo prazo com a Tencent, no valor superior a 20 bilhões de yuans.
O acordo abrange principalmente o fornecimento de chips de memória DRAM para servidores nos próximos anos, com prazo máximo, segundo fontes, entre três e cinco anos. DRAM é um componente essencial em servidores e data centers, amplamente utilizado em computação em nuvem, bancos de dados e cargas de trabalho de inteligência artificial. Em meio à oferta restrita e ao aumento de preços no mercado global de chips de memória, empresas de internet e computação em nuvem estão garantindo suprimentos por meio de acordos de longo prazo (LTA).
Ao obter um pedido de longo prazo superior a 20 bilhões de yuans da Tencent Holdings neste momento, a Reuters considera que isso representa um grande reconhecimento da Tencent em relação à ChangXin Memory Technologies.
Atualmente, mais detalhes sobre esta transação ainda não estão claros, incluindo se abrange os produtos de memória de alta largura de banda (HBM) da ChangXin Memory Technologies. Duas outras fontes afirmam que a ChangXin Memory Technologies também está em negociações com outras grandes empresas de internet chinesas para colaborações semelhantes.
Historicamente, o mercado global de DRAM foi monopolizado por três gigantes: a Micron Technology dos EUA, a Samsung da Coreia do Sul e a SK Hynix. As empresas de internet domésticas dependiam fortemente da importação de chips DRAM para servidores, apresentando riscos de instabilidade na cadeia de suprimentos.
Esta cooperação aprofundada não apenas valida o desempenho, a qualidade e a estabilidade de fornecimento dos produtos DRAM da ChangXin Memory Technologies, absorvendo efetivamente sua nova capacidade de produção e acelerando a comercialização dessa capacidade, mas também preenche de forma eficaz a lacuna de fornecimento autônomo de DRAM de alto desempenho para servidores domésticos, promovendo continuamente a substituição nacional no setor de DRAM.
