De acordo com pt.wedoany.com-A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation lançou o "TPM1R408RH", um MOSFET de canal N de 80V fabricado com a mais recente tecnologia de processo U-MOS11-H, voltado para fontes de alimentação chaveadas em equipamentos industriais, como centros de dados de IA e estações base de comunicação, com início imediato de embarques.
Com a expansão contínua do processamento de dados de IA, a demanda por energia nos centros de dados cresce cada vez mais; o desenvolvimento da infraestrutura de comunicação também impõe requisitos mais elevados para fontes chaveadas em termos de alta eficiência, miniaturização (alta densidade de potência) e baixa interferência eletromagnética (EMI). As perdas de potência afetam diretamente o consumo de energia, a geração de calor e a carga de resfriamento do sistema, sendo necessário o uso de semicondutores de potência que equilibrem a redução das perdas de condução e de comutação, otimizando o desempenho geral do sistema, incluindo supressão de EMI, projeto térmico e facilidade de instalação.
O TPM1R408RH utiliza uma estrutura de dispositivo otimizada, com resistência de condução dreno-fonte (valor máximo) de 1,4mΩ, cerca de 26% menor em comparação com o produto Toshiba de 80V "TPM1R908QM", fabricado com o processo anterior U-MOS X-H. Além disso, o produto melhora o equilíbrio entre a resistência de condução dreno-fonte (RDS(ON)) e a carga total da porta (Qg), com um fator de mérito RDS(ON)×Qg cerca de 45% menor que o do TPM1R908QM. Essas características resultam em perdas de potência em níveis baixos na indústria.
O TPM1R408RH também suprime a tensão de pico gerada entre dreno e fonte durante a comutação, ajudando a reduzir a EMI em fontes chaveadas. A supressão de EMI geralmente requer retrabalho nas fases finais do projeto, mas a supressão da tensão de pico do próprio dispositivo reduz a necessidade de retrabalho e simplifica os circuitos de filtro e snubber.
O novo produto utiliza o encapsulamento SOP Advance (E), que, em comparação com o encapsulamento SOP Advance (N) existente da Toshiba, reduz a resistência do encapsulamento em cerca de 65% e a resistência térmica em cerca de 15%. Ao suprimir a geração de calor e melhorar a dissipação térmica, este encapsulamento suporta maior potência de saída e projetos de fonte de alimentação mais compactos.
A Toshiba também oferece ferramentas de suporte ao projeto de circuitos de fontes chaveadas. Além do modelo SPICE G0 para verificação rápida da função do circuito, agora também está disponível um modelo SPICE G2 de alta precisão, capaz de reproduzir com exatidão as características transitórias. O simulador de circuitos online no site da Toshiba permite que os usuários verifiquem diretamente a operação do circuito no navegador da web, sem a necessidade de configurar um ambiente de simulação ou baixar modelos de dispositivos.
A Toshiba continuará expandindo sua linha de MOSFETs de potência que contribuem para a eficiência energética, ajudando a reduzir o consumo de energia em equipamentos industriais.
Este produto é adequado para equipamentos industriais, como fontes chaveadas em centros de dados de IA e estações base de comunicação. Suas principais características incluem: baixa resistência de condução dreno-fonte, RDS(ON) de 1,4mΩ (valor máximo, VGS＝10V, ID＝50A, Ta＝25°C); baixo produto de resistência de condução dreno-fonte × carga total da porta, RDS(ON)×Qg de 1,4mΩ×80nC＝112mΩ·nC (cerca de 45% menor que os 1,9mΩ×108nC＝205,2mΩ·nC do TPM1R908QM); encapsulamento SOP Advance (E) com baixa resistência e baixa resistência térmica. Especificações principais (salvo indicação em contrário, Ta＝25°C) são as seguintes:
Nota: [1] Com base no processo de MOSFET de potência de baixa tensão da Toshiba até junho de 2026. [2] VGS＝10V, ID＝50A, Ta＝25°C. [3] Pesquisa da Toshiba até junho de 2026.
