Samsung Electronics divulga roteiro do processo de 2 nanômetros e desenvolve chips de IA de borda em parceria com o governo sul-coreano

De acordo com pt.wedoany.com-No Fórum SAFE 2026, realizado no edifício Seocho, em Seul, a Samsung Electronics divulgou no dia 1º o roteiro do novo processo de 2nm (nanômetro, um bilionésimo de metro), da tecnologia de otimização co-projeto e processo (DTCO) e da SRAM de alto desempenho. A empresa planeja se conectar com a "Aliança de Transformação de IA na Manufatura (M.AX)" do governo sul-coreano para desenvolver chips de inteligência artificial (IA) de borda, a fim de fortalecer o papel da plataforma de semicondutores de sistema doméstica da Coreia do Sul.

Shin Jong-shin, chefe do Laboratório de Desenvolvimento da Plataforma de Design (DP) da Divisão de Foundry da Samsung Electronics, afirmou em seu discurso principal que a Samsung Electronics aumentará sua capacidade de atender à demanda por IA e, por meio do Fórum SAFE, fortalecerá a comunicação com clientes e parceiros, iniciando oficialmente a colaboração com clientes, indo além da produção por foundry e reforçando o papel da plataforma da indústria de semicondutores de sistema doméstica da Coreia do Sul.

Park Sung-hyun, CEO da empresa sul-coreana de fabless de IA Rebellions, apresentou que, com base no processo de foundry de 4nm e na embalagem avançada da Samsung Electronics, a empresa desenvolveu o processador de rede neural (NPU) "Rebel100". No futuro, continuará a colaborar no setor de semicondutores de IA para construir uma IA soberana. Jean Marie Brunet, vice-presidente sênior da Siemens EDA, empresa global de automação de design eletrônico (EDA), também apresentou um plano de suporte para acelerar a realização de semicondutores de IA e computação de alto desempenho (HPC) utilizando o processo avançado da Samsung.

Além da colaboração no ecossistema, a Samsung Electronics também divulgou um roteiro de processo personalizado para atender à demanda por semicondutores de IA, incluindo a tecnologia DTCO que otimiza simultaneamente design e processo, a nova tecnologia de processo de 2nm e um plano para aumentar a competitividade da SRAM de alto desempenho, com o objetivo de melhorar a competitividade em potência, desempenho e área (PPA). A empresa está colaborando com o governo sul-coreano e o meio acadêmico para acelerar a expansão da infraestrutura do ecossistema de semicondutores de sistema doméstico, participando da Aliança M.AX promovida pelo Ministério do Comércio, Indústria e Energia, e promovendo o desenvolvimento de semicondutores de IA de borda de baixo consumo e alto desempenho para automóveis, eletrodomésticos, robôs e defesa. Ao mesmo tempo, a Samsung Electronics continua apoiando o projeto de múltiplos projetos em wafer (MPW) para reduzir o ônus inicial de protótipos para fabless domésticas e participa do programa de formação de talentos em nível de mestrado e doutorado "K-CHIPS".

O fórum deste ano, com o tema "Ponto de Conexão da Inteligência de Silício", contou com a presença de mais de 400 pessoas, incluindo clientes globais e representantes de parceiros. 21 parceiros das áreas de automação de design eletrônico (EDA), propriedade intelectual de design (IP), provedores de soluções de design (DSP), design virtual (VDP) e embalagem avançada (MDI) apresentaram soluções em estandes. Um representante da Samsung Electronics afirmou que, com a expansão do mercado de semicondutores de IA, a tecnologia de processo avançado e a capacidade de construção de ecossistemas se tornam competências essenciais. Para promover o desenvolvimento do ecossistema de semicondutores de sistema doméstico e aumentar a competitividade da foundry, a Samsung Electronics continuará colaborando com clientes, parceiros e o governo, com foco nos projetos SAFE e MPW.