Micron dos EUA inicia expansão da fábrica de wafers em Hiroshima, Japão, com investimento de US$ 9,3 bilhões para HBM

De acordo com pt.wedoany.com-Em 4 de julho, horário local, a Micron Technology dos EUA iniciou a expansão de sua fábrica de wafers em Hiroshima, Japão, com um investimento total de aproximadamente 1,5 trilhão de ienes, cerca de US$ 9,3 bilhões. O projeto será usado para produzir memórias de alta largura de banda e outros chips de armazenamento avançado, voltados principalmente para a demanda de processadores de IA, com produtos relacionados previstos para começar a ser enviados por volta do verão de 2028.

A memória de alta largura de banda é um componente de armazenamento essencial em servidores e aceleradores de IA, geralmente empacotada ou trabalhando em conjunto com processadores como GPUs e ASICs de IA, para melhorar a largura de banda de transferência de dados e a eficiência computacional dos modelos. Com a expansão do treinamento de grandes modelos, inferência e clusters de data centers, a capacidade de fornecimento de HBM tornou-se um gargalo importante na cadeia da indústria de chips de IA. A expansão da capacidade de armazenamento avançado da Micron em Hiroshima não visa a expansão de armazenamento de consumo comum, mas sim a construção de capacidade de armazenamento voltada para processadores de IA, servidores de data centers e plataformas de computação de alto desempenho de próxima geração.

O Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão fornecerá subsídios de até cerca de 500 bilhões de ienes para o projeto. Para o Japão, atrair a Micron para expandir a produção de HBM e DRAM avançada ajuda a fortalecer a base de fabricação de semicondutores doméstica e aumentar a participação do Japão na cadeia de suprimentos global de hardware de IA.

A fábrica da Micron em Hiroshima há muito tempo assume a tarefa de fabricação avançada de DRAM da empresa. Após esta expansão, ela assumirá ainda mais a produção de produtos de armazenamento para IA. A fabricação de HBM exige altos padrões em processos de wafer, empacotamento empilhado, controle de rendimento, capacidade de teste e certificação do cliente, e não é algo que possa gerar capacidade de produção efetiva imediatamente apenas com a expansão da área fabril. O período desde o início da construção até o envio por volta do verão de 2028 indica que o ciclo de construção cobrirá várias etapas, como expansão da fábrica, introdução de equipamentos, validação de processos, certificação do cliente e ramp-up de produção. Para os clientes de chips de IA, a liberação da nova capacidade de HBM pode ajudar a aliviar parcialmente a escassez de fornecimento de armazenamento de ponta, mas o impacto real na oferta do mercado dependerá do rendimento, da geração do produto, do suporte de empacotamento e do ritmo dos pedidos dos clientes.

O projeto também faz parte do plano global de expansão de capacidade de armazenamento para IA da Micron. Além de Hiroshima, no Japão, a Micron também está promovendo investimentos em processos avançados em larga escala em Idaho e Nova York, nos EUA, para aumentar a capacidade de fornecimento de DRAM e HBM. Com a NVIDIA, AMD, provedores de serviços em nuvem e empresas de chips de IA aumentando continuamente a demanda por armazenamento de alto desempenho, os fabricantes globais de armazenamento estão competindo em capacidade e tecnologia em torno de HBM3E, HBM4 e produtos subsequentes. Após a implementação do projeto em Hiroshima, no Japão, a Micron avançará simultaneamente na distribuição de capacidade de armazenamento para IA na Ásia e nos EUA, formando uma rede de fabricação mais descentralizada.

Atualmente, o projeto já começou oficialmente, com o tamanho do investimento, os arranjos de subsídios e o cronograma inicial de envio já definidos. O foco subsequente estará na entrada de equipamentos, introdução de processos, validação de produtos HBM, certificação do cliente e no progresso do ramp-up de capacidade após 2028.

Palavras-chave: Micron Technology dos EUA, fábrica de wafers em Hiroshima, Japão, HBM, chips de armazenamento para IA, 1,5 trilhão de ienes