SanDisk envia amostras do chip BiCS10, planeja SSD de 512 TB para 2027
De acordo com pt.wedoany.com-A SanDisk e a Kioxia iniciaram o envio de amostras do chip de memória flash 3D NAND de décima geração, o BiCS10. Este chip TLC de 1 Tb utiliza 332 camadas de armazenamento integradas em um único die, alcançando uma densidade de bits por área superior a 29 Gb por milímetro quadrado, que a SanDisk considera líder no setor.

A densidade de bits do BiCS10 é 59% superior à da geração anterior BiCS8, atualmente em produção em massa. O chip utiliza a arquitetura de matriz de ligação direta CMOS da SanDisk, combinada com a nova interface Toggle DDR6.0, elevando a velocidade de transferência de dados para 4,8 Gb/s, um aumento de 33% em relação à interface anterior. A eficiência energética também foi aprimorada, com redução de 10% no consumo de energia de entrada e 34% no consumo de saída em comparação com o BiCS8.
A SanDisk já traçou um roteiro para este chip, com o objetivo de lançar um SSD de 256 TB em 2026 e uma unidade de 512 TB em 2027. A empresa também revelou planos futuros para um drive de data center de 1 PB, mas ainda não definiu um ano específico para o lançamento. Esses aumentos de capacidade dependem da adoção de memória QLC, e a SanDisk planeja migrar a maioria de seus produtos focados em capacidade para QLC até 2028.
O BiCS10 utiliza um design de die TLC de 1 Tb, com ganhos de capacidade obtidos por meio de empilhamento de camadas e escalonamento lateral aprimorado. As duas empresas aumentaram a densidade adicionando mais camadas, melhorando o layout e utilizando novos designs de circuitos, em vez de aumentar o número de bits por célula de armazenamento. A nova geração alcança uma taxa de transferência de dados de 4,8 Gbps, enquanto o consumo de energia de leitura foi reduzido em 29% em relação ao design anterior. Essas melhorias visam aumentar a capacidade sem comprometer a durabilidade e a confiabilidade.
Os preços dos drives empresariais de alta capacidade atuais podem servir como referência. A série Solidigm D5-P5336 de 122,88 TB atualmente é vendida no varejo por cerca de US$ 49.275 a US$ 64.168. Com base no custo por TB, o drive de 512 TB da SanDisk, quando lançado em 2027, pode custar mais de US$ 300.000. A concorrência neste segmento continua acirrada, com Kioxia, Samsung, Solidigm e Micron competindo para atingir marcos de capacidade semelhantes em cronogramas análogos. A Samsung confirmou separadamente planos para lançar um drive PCIe 6.0 de 512 TB por volta de 2027, e um produto Gen 5 de 256 TB em 2026. A oferta de NAND continua restrita, e os preços contratuais de memória flash devem subir de 70% a 75% trimestre a trimestre até meados de 2026, impulsionados principalmente pela demanda empresarial relacionada à infraestrutura de IA generativa.
Produtos Relacionados




Radar Meteorológico de Banda C Série 714CD
Chengdu Zhongdian Jinjiang Information Industry Co., Ltd.


Estação Central em Nuvem da Internet das Coisas para Distribuição de Energia
XJ ELECTRIC CORPORATION
TWP16 Radar de Perfil de Vento Troposférico na Banda P
China Huayun Meteorological Technology Group Co., Ltd.
Radar de Monitoramento Oceânico Multifuncional para Baixa Altura – Medição de Ambiente Dinâmico Marítimo e Atmosférico
Chengdu Dixin Technology Co., Ltd.
Reflectômetro Óptico no Domínio do Tempo (OTDR) 6422
Ceyear Technologies Co., Ltd.










