De acordo com pt.wedoany.com-A SanDisk e a Kioxia iniciaram o envio de amostras do chip de memória flash 3D NAND de décima geração, o BiCS10. Este chip TLC de 1 Tb utiliza 332 camadas de armazenamento integradas em um único die, alcançando uma densidade de bits por área superior a 29 Gb por milímetro quadrado, que a SanDisk considera líder no setor.
A densidade de bits do BiCS10 é 59% superior à da geração anterior BiCS8, atualmente em produção em massa. O chip utiliza a arquitetura de matriz de ligação direta CMOS da SanDisk, combinada com a nova interface Toggle DDR6.0, elevando a velocidade de transferência de dados para 4,8 Gb/s, um aumento de 33% em relação à interface anterior. A eficiência energética também foi aprimorada, com redução de 10% no consumo de energia de entrada e 34% no consumo de saída em comparação com o BiCS8.
A SanDisk já traçou um roteiro para este chip, com o objetivo de lançar um SSD de 256 TB em 2026 e uma unidade de 512 TB em 2027. A empresa também revelou planos futuros para um drive de data center de 1 PB, mas ainda não definiu um ano específico para o lançamento. Esses aumentos de capacidade dependem da adoção de memória QLC, e a SanDisk planeja migrar a maioria de seus produtos focados em capacidade para QLC até 2028.
O BiCS10 utiliza um design de die TLC de 1 Tb, com ganhos de capacidade obtidos por meio de empilhamento de camadas e escalonamento lateral aprimorado. As duas empresas aumentaram a densidade adicionando mais camadas, melhorando o layout e utilizando novos designs de circuitos, em vez de aumentar o número de bits por célula de armazenamento. A nova geração alcança uma taxa de transferência de dados de 4,8 Gbps, enquanto o consumo de energia de leitura foi reduzido em 29% em relação ao design anterior. Essas melhorias visam aumentar a capacidade sem comprometer a durabilidade e a confiabilidade.
Os preços dos drives empresariais de alta capacidade atuais podem servir como referência. A série Solidigm D5-P5336 de 122,88 TB atualmente é vendida no varejo por cerca de US$ 49.275 a US$ 64.168. Com base no custo por TB, o drive de 512 TB da SanDisk, quando lançado em 2027, pode custar mais de US$ 300.000. A concorrência neste segmento continua acirrada, com Kioxia, Samsung, Solidigm e Micron competindo para atingir marcos de capacidade semelhantes em cronogramas análogos. A Samsung confirmou separadamente planos para lançar um drive PCIe 6.0 de 512 TB por volta de 2027, e um produto Gen 5 de 256 TB em 2026. A oferta de NAND continua restrita, e os preços contratuais de memória flash devem subir de 70% a 75% trimestre a trimestre até meados de 2026, impulsionados principalmente pela demanda empresarial relacionada à infraestrutura de IA generativa.
