A DRAM da Samsung evoluiu de 1α para 1β, e a NAND passou de 176 camadas para 232 camadas

De acordo com pt.wedoany.com-No campo dos chips de memória, a DRAM e a NAND Flash adotaram trajetórias de evolução tecnológica distintas: a DRAM reduz continuamente a largura da linha, enquanto a NAND aumenta constantemente o número de camadas empilhadas.

A atualização tecnológica da DRAM reflete-se principalmente nos nós de processo. 1α e 1β da Samsung são codinomes de gerações de processo da DRAM. O 1α era a DRAM de produção em massa mais avançada da indústria na época, já amplamente disponível no mercado; o 1β é o próximo nó, pronto para produção em massa. Cada geração de miniaturização de processo traz maior densidade de armazenamento, menor consumo de energia e maior velocidade. A LPDDR5X, como padrão de DRAM de baixo consumo voltado para smartphones, já está em fase de embarque, indicando que os processos avançados já foram aplicados em produtos reais.

A DRAM também está introduzindo a tecnologia HKMG de segunda geração. Esta tecnologia é semelhante ao princípio do metal gate de alta constante dielétrica em chips lógicos, substituindo o óxido de silício tradicional por um dielétrico de alta constante para reduzir a corrente de fuga da porta e melhorar o desempenho. O uso de HKMG na DRAM pode melhorar ainda mais as características de refresh e o consumo de energia, fornecendo suporte para interfaces de memória de frequência mais alta.

A atualização tecnológica da NAND Flash depende do número de camadas empilhadas. 176 camadas e 232 camadas já foram marcos da indústria. A NAND 3D não depende da miniaturização da largura da linha, mas aumenta a densidade empilhando células de memória camada por camada. Quanto maior o número de camadas, mais células de memória podem ser acomodadas na mesma área, e menor o custo. As 176 camadas foram as primeiras a chegar ao mercado, enquanto as 232 camadas eram o produto avançado de produção em massa da indústria na época.

Tecnologias-chave também incluem a arquitetura CuA e de pilha dupla. A CuA coloca os circuitos periféricos abaixo das células de memória, economizando área do chip e aumentando a densidade de armazenamento. A arquitetura de pilha dupla empilha dois conjuntos de células de memória verticalmente e os interconecta, reduzindo a pressão da relação de aspecto de uma única gravação, permitindo que o número de camadas continue aumentando. A evolução tecnológica após as 232 camadas foi alcançada precisamente através dessas inovações arquitetônicas.

Do 1α ao 1β da DRAM, e das 176 camadas às 232 camadas da NAND, o ritmo de atualização dos chips de memória está se acelerando. Cada avanço em nós de processo e número de camadas está abrindo caminho para armazenamento de dados com maior capacidade, maior velocidade e menor custo. Seja a LPDDR5X em smartphones ou os SSDs empresariais em servidores, por trás de tudo isso está o resultado da inovação contínua da DRAM e da NAND em duas trajetórias diferentes.