De acordo com pt.wedoany.com-A Samsung Electronics está a construir uma linha de produção em massa equipada com 50 unidades de ligação híbrida chip-wafer (D2W) no seu complexo de Pyeongtaek, destinada à produção da próxima geração de memórias de alta largura de banda (HBM) e semicondutores lógicos. A entrega e instalação dos equipamentos deverá começar no final deste ano.

Segundo informações da indústria de semicondutores divulgadas no dia 21, a Samsung Electronics selecionou a empresa neerlandesa de equipamentos de back-end de semicondutores BESI como parceira principal e já iniciou a aquisição de 50 máquinas de ligação híbrida D2W (bonders). Estes equipamentos estão previstos para serem instalados na linha de produção em massa da fábrica P5, no complexo de Pyeongtaek. O CEO da Vesh, Richard Blickman, afirmou numa teleconferência de resultados do primeiro trimestre em abril do ano passado que, até meados do ano, seria possível divulgar detalhes mais precisos sobre as máquinas de ligação híbrida. Na altura, as máquinas de ligação híbrida da Vesh estavam a ser submetidas a validação de qualidade pela Samsung Electronics.

No entanto, a finalização da encomenda ainda exigirá mais tempo. Devido às exigências da Samsung Electronics por modificações estruturais nos equipamentos, o cronograma específico de fornecimento ainda não foi definido. As modificações estruturais envolvem ajustes nas especificações, como design, componentes ou módulos dos equipamentos, para atender às necessidades do cliente. Além disso, o preço de venda das máquinas de ligação híbrida da Vesi é de cerca de 6 mil milhões de won sul-coreanos, aproximadamente o dobro dos concorrentes, fator que também prolongou o processo de negociação. Um profissional do setor afirmou que a Veshi fornece máquinas de ligação híbrida a empresas globais de semicondutores, incluindo a TSMC e a Micron, mas modificar a estrutura dos equipamentos apenas para atender às necessidades da Samsung Electronics tem gerado grande pressão sobre a empresa. A Samsung Electronics considera os equipamentos da Veshi a melhor escolha, mas, dada a dificuldade de coordenação, também está a considerar a introdução de produtos de fabricantes de equipamentos nacionais com maior capacidade de resposta.

A SEMES, subsidiária de equipamentos de semicondutores da Samsung Electronics, também recebeu encomendas para fornecer máquinas de ligação híbrida D2W para a linha de produção em massa. A empresa planeia construir duas linhas de produção de ligação híbrida no complexo de Pyeongtaek. Outro profissional do setor salientou que, quando a Samsung Electronics escolheu inicialmente os equipamentos da VESI, a SEMES sentiu-se bastante tensa, mas a situação melhorou recentemente. A SEMES concluiu o desenvolvimento da máquina de ligação híbrida D2W no início deste ano e já a entregou à Samsung Electronics para validação de desempenho. Sabe-se que o equipamento já passou nos testes.

A Samsung Electronics também está a considerar a Hanwha Semiconductor como parceira para as suas máquinas de ligação híbrida. A Hanwha Semiconductor concluiu o desenvolvimento da sua segunda geração de máquinas de ligação híbrida D2W, "SHB2 Nano", em fevereiro deste ano, e forneceu produtos de avaliação à SK Hynix em abril do ano passado. Este produto é um sistema integrado (cluster) que inclui a máquina de ligação, o módulo de transferência de wafer (EFEM) da Cymex, o módulo de ativação por plasma da Hanwha Semiconductor e o módulo de limpeza da Zeus.

A linha de produção em massa de ligação híbrida D2W que a Samsung Electronics está a construir no complexo de Pyeongtaek está diretamente relacionada com o processo de empacotamento de HBM e semicondutores lógicos. Segundo fontes do setor, além do centro de empacotamento de back-end de semicondutores em Cheonan, a Samsung Electronics também está a preparar uma linha de ligação híbrida para a próxima geração de HBM no complexo de Pyeongtaek. A utilização da tecnologia de ligação híbrida de cobre (HCB) em substituição da tecnologia tradicional de ligação por termocompressão (TC) para empilhar os chips principais de HBM (chips DRAM) pode melhorar significativamente o desempenho, reduzir o consumo de energia e diminuir a geração de calor. Isto deve-se ao facto de, ao ligar diretamente o cobre e a camada dielétrica, não ser necessário utilizar saliências metálicas (microbumps), encurtando assim o comprimento das interconexões entre os dispositivos.

Esta tecnologia tem grande probabilidade de ser aplicada em chips HBM personalizados para clientes (cHBM). A Samsung Electronics substitui o chip base do cHBM por um chip lógico que incorpora circuitos de computação (IP) do cliente, cuja função é auxiliar o processamento da unidade central de processamento (CPU) e da unidade de processamento gráfico (GPU) externas, otimizando a transferência de dados. A Samsung Electronics planeia adotar uma estrutura de empacotamento em sistema 3D (SiP), empilhando verticalmente as camadas de DRAM HBM sobre o chip lógico. O centro de foundry de wafer da Samsung Electronics lançou no mês passado a solução de empilhamento vertical 3D de próxima geração baseada em tecnologia de ligação híbrida, "3D Cube-H". Trata-se de uma tecnologia de empacotamento heterogéneo integrado, projetada especificamente para a próxima geração de chips de inteligência artificial (IA) e sistemas de computação de alto desempenho (HPC). Em comparação com as tecnologias de empacotamento existentes, oferece maior desempenho, eficiência energética e largura de banda. Atualmente, o centro de foundry de wafer da Samsung está a promover ativamente a aplicação desta tecnologia junto dos clientes.

Espera-se que, a partir do final deste ano, as máquinas de ligação híbrida dos fabricantes de equipamentos comecem a chegar ao complexo de Pyeongtaek para instalação. No entanto, internamente, a Samsung Electronics prevê que a produção em massa em grande escala da tecnologia de ligação híbrida só seja alcançada em 2030, devido à sua maior dificuldade técnica em comparação com a tecnologia de ligação termoelétrica. O profissional do setor C previu: "Esperamos que a tecnologia de ligação híbrida seja totalmente aplicada por volta de 2029, altura em que também será lançado o próximo acelerador de IA da NVIDIA, o Feynman."