Dongwei e Jingzhan Semiconductor Firmam Parceria para Desenvolver Tecnologia de Semicondutores de Nitreto de Gálio de 12 Polegadas

Em 20 de outubro, a Suzhou Dongwei Semiconductor Co., Ltd. (doravante “Dongwei Semiconductor”) anunciou em seu canal oficial que firmou uma parceria estratégica com a Suzhou Jingzhan Semiconductor Co., Ltd. (doravante “Jingzhan Semiconductor”) para promover conjuntamente a pesquisa, o desenvolvimento e a aplicação da tecnologia e dos produtos de semicondutores de nitreto de gálio (GaN) de 12 polegadas.

De acordo com as informações disponíveis, a Dongwei Semiconductor, fundada em 2008, possui um portfólio que abrange MOSFETs de superjunção de alta tensão, MOSFETs de porta protegida de média e baixa tensão, MOSFETs de silício avançado, TGBTs e MOSFETs de SiC, amplamente utilizados em setores como estações de carregamento de veículos elétricos, fontes de energia para estações base 5G, centros de dados e servidores de computação de alto desempenho — áreas que se sobrepõem aos potenciais mercados de aplicação dos semicondutores de GaN de 12 polegadas.

A Jingzhan Semiconductor, fundada em 2012, dedica-se a fornecer soluções de materiais epitaxiais de nitreto de gálio de alta qualidade para os setores de eletrônica de potência e microdisplays. Em 2013, a empresa construiu uma linha de produção avançada internacional de materiais epitaxiais de GaN na Suzhou Nanotech National University Science Park (Nanocity). No final de 2014, a Jingzhan foi a primeira no mundo a lançar produtos comerciais de epitaxia de GaN em substrato de silício de 8 polegadas, tornando-se uma das empresas líderes na pesquisa e industrialização de materiais de GaN na China, e atualmente é uma das poucas fornecedoras globais capazes de produzir epitaxia de GaN em substratos de silício de 300 mm.