De acordo com pt.wedoany.com-A fabricante de semicondutores Nexperia anunciou a expansão de sua linha de transistores de efeito de campo (FETs) de nitreto de gálio (GaN) de alta potência industrial de 650V, com a adição de três novos modelos: 35 mΩ, 50 mΩ e 70 mΩ, todos disponíveis nos encapsulamentos padrão da indústria TO-247-3, TO-247-4, TOLL e TOLT. Esta série de dispositivos é voltada principalmente para aplicações que exigem conversão de energia rigorosa, como fontes de alimentação para data centers e telecomunicações, sistemas de energia renovável, armazenamento de energia em baterias (BESS) e acionamentos e automação industrial.
O contexto de mercado que impulsiona esta expansão inclui: o rápido crescimento da computação em IA, que eleva a demanda de energia dos racks de servidores de menos de 3 kW para o nível de 5–12 kW; e a tendência de eletrificação industrial e de energias renováveis, que exige maiores frequências de comutação e eficiência. Nesse cenário, a tecnologia de banda larga, como o GaN, é vista como um caminho fundamental para alcançar maior eficiência, tamanhos de sistema menores e melhor gerenciamento térmico nas arquiteturas de conversão de energia de próxima geração.
Andrea Bricconi, vice-presidente e chefe do Grupo de Produtos GaN da Nexperia, afirmou que a transição para semicondutores de banda larga está se acelerando em aplicações industriais, de energia e de infraestrutura de IA, e que a empresa está comprometida em tornar a tecnologia GaN mais acessível e escalável para projetistas de aplicações de alta potência. A expansão atual do portfólio é apenas o começo da atuação da empresa no campo da banda larga.
Em nível de sistema, esses dispositivos GaN superam os limites de desempenho das soluções tradicionais baseadas em silício, através de maiores frequências de comutação e menores perdas de comutação e condução. Com isso, os projetistas podem alcançar maior densidade de potência, eficiência, além de reduzir as necessidades de resfriamento e o custo total do sistema. As frequências de comutação mais altas também permitem o uso de componentes passivos e magnéticos menores, suportando arquiteturas de potência mais compactas e escaláveis.
Em um estágio LLC de alta potência típico de uma fonte de alimentação (PSU) de servidor de IA de 10–12 kW, o uso de dispositivos GaN, em comparação com dispositivos de silício, pode proporcionar um ganho de eficiência de aproximadamente 0,8–1,2% em plena carga, ao mesmo tempo que oferece um aumento de densidade de potência de cerca de 40–70% no nível do estágio. Em um acionamento de motor de alta tensão de 1 kW típico, os dispositivos GaN podem reduzir as perdas de potência do inversor em cerca de 20–25%, proporcionando um ganho de eficiência de aproximadamente 1–1,5% e suportando soluções de gerenciamento térmico menores e maior densidade de potência geral.
Os dispositivos mencionados são baseados na plataforma de tecnologia GaN da Nexperia, apresentando características de comutação rápida, baixas perdas de comutação, comportamento dinâmico controlado e desempenho térmico robusto. Eles oferecem várias opções de encapsulamento padrão da indústria para otimizar parâmetros de projeto elétrico e mecânico, facilitando a integração em arquiteturas de sistemas de energia existentes.
Os dispositivos de 35 mΩ e 70 mΩ já estão disponíveis nos encapsulamentos TOLL, TOLT, TO-247-3 e TO-247-4. O modelo de 50 mΩ está previsto para ser lançado no terceiro trimestre de 2026.
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