De acordo com pt.wedoany.com-A ROHM Semiconductor do Japão lançou a série AG16xFNxx de MOSFETs de potência de 80V, projetados especificamente para sistemas de alimentação de 48V em automóveis. Esta série de dispositivos visa atender às crescentes demandas de potência dos veículos modernos, ao mesmo tempo que melhora a eficiência e reduz a área ocupada pelos estágios de conversão de potência.
Com a transição da indústria automotiva para arquiteturas elétricas de maior potência, os sistemas de 48V estão se tornando uma alternativa viável às redes tradicionais de 12V, especialmente em veículos de luxo e eletrificados. Espera-se que essa mudança se acelere nos próximos anos, impulsionando a demanda por semicondutores de potência que apresentem perdas de condução e comutação menores do que os MOSFETs de 100V atualmente comuns. A ROHM Semiconductor desenvolveu a série AG16xFNxx para atender a esses requisitos, oferecendo dispositivos de 80V especificamente adaptados para a faixa de tensão automotiva de 48V.
Os novos MOSFETs estão disponíveis em duas opções de encapsulamento compacto: o encapsulamento HPLF5060 (dimensões 4,9 mm × 6,0 mm) e o encapsulamento DFN3333 (dimensões 3,3 mm × 3,3 mm). Em comparação com encapsulamentos tradicionais de MOSFETs automotivos, como o TO-252 (dimensões 6,6 mm × 10,0 mm), ambos os encapsulamentos apresentam uma redução significativa de tamanho. A área ocupada menor permite que os projetistas aumentem a densidade de potência e reduzam o tamanho geral das unidades de controle eletrônico e dos módulos de potência.
A ROHM Semiconductor emprega tecnologias de encapsulamento projetadas para melhorar a confiabilidade e o desempenho térmico. O encapsulamento HPLF5060 utiliza terminais em asa de gaivota (Gull-Wing Leads) para aumentar a robustez das juntas de solda; o encapsulamento DFN3333 emprega a tecnologia de flancos umectáveis (Wettable Flank Technology), facilitando a inspeção óptica automatizada e melhorando a confiabilidade da conexão à PCB. Além disso, esses dispositivos utilizam a tecnologia de conexão por grampo de cobre (Copper Clip Junction Technology), que melhora a capacidade de dissipação de calor, permitindo que os MOSFETs suportem operação com altas correntes em condições automotivas exigentes.
Todos os produtos da série AG16xFNxx atendem ao padrão de confiabilidade automotiva AEC-Q101, sendo adequados para aplicações veiculares que exigem rigorosos requisitos de segurança e confiabilidade. Os cenários de aplicação típicos incluem circuitos de controle do inversor principal, motores elétricos, bombas d'água eletrônicas e outros subsistemas que operam em arquiteturas veiculares de 48V.
O AG160FNS4FRA, com encapsulamento HPLF5060, e o AG166FNH7FRA, com encapsulamento DFN3333, iniciaram a produção em massa em abril de 2026. A ROHM Semiconductor também planeja expandir o portfólio com mais dispositivos, estando atualmente em desenvolvimento modelos de alta potência no formato de encapsulamento TOLG. Os novos produtos fazem parte da série EcoMOS de MOSFETs de potência de silício da empresa, projetada para fornecer soluções de comutação energeticamente eficientes para aplicações automotivas, industriais e de consumo.
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