Samsung Electronics: HBM5 adotará processo GAA de 2 nm, com desempenho superior a 50% em relação ao HBM4E

De acordo com pt.wedoany.com-Em 27 de julho, a Samsung Electronics divulgou uma entrevista com Koo Ja-heum, chefe do Departamento de Desenvolvimento Técnico da Divisão de Semicondutores da empresa. A Samsung revelou oficialmente o roteiro técnico central de sua oitava geração de memória de alta largura de banda (HBM5).

Koo Ja-heum anunciou que a velocidade de operação da próxima geração de memória HBM5 da Samsung deverá ser mais de 50% mais rápida que a da geração anterior HBM4E, e o Die Base do HBM5 adotará historicamente o processo de 2 nm baseado na estrutura de transistor de porta totalmente envolvente (GAA). Esta é a primeira vez que a indústria global de semicondutores aplica claramente o processo de ponta de 2 nm à fabricação de chips base de HBM.

Em termos de especificações técnicas específicas e evolução da arquitetura, Koo Ja-heum detalhou na entrevista exclusiva que, com a iteração dos produtos HBM para gerações mais avançadas, as exigências da indústria em relação ao desempenho de processamento de dados e eficiência energética geral estão se tornando extremamente rigorosas. Para atender à demanda extrema por poder computacional nas áreas de inteligência artificial e supercomputação, o HBM5, além de introduzir totalmente o processo GAA de 2 nm, também alcançará maior integração e maior densidade na tecnologia de interconexão por silício through-silicon via (TSV) no nível do chip base.

Em comparação com a estrutura FinFET tradicional, a arquitetura GAA permite que a porta envolva completamente o canal de corrente em quatro lados, proporcionando um controle de corrente mais preciso, melhorando significativamente o desempenho da transmissão de dados e reduzindo drasticamente o consumo geral de energia.

Quanto ao ritmo de implementação do salto de nó de processo, a Samsung apresentou um planejamento de rota claro.

Koo Ja-heum enfatizou que a Samsung já havia aplicado o maduro processo de 4 nm de quarta geração na fabricação dos chips base do HBM4 e HBM4E. Com base na rica experiência, dados de rendimento e competitividade técnica de base acumulados durante o desenvolvimento e produção em massa dos chips base HBM4 de 4 nm, a Samsung Electronics decidiu adotar uma estratégia técnica mais agressiva, introduzindo diretamente o processo GAA de 2 nm na geração HBM5.

Paralelamente, Koo Ja-heum destacou na entrevista a vantagem exclusiva do sistema de produção "Turnkey" da Samsung Electronics na indústria. Ele explicou que o HBM é um produto complexo formado pelo empilhamento e encapsulamento de Dies de Núcleo de Memória e chips lógicos base. A Samsung consegue realizar um ciclo fechado completo internamente, desde a fabricação do chip central pela Divisão de Memória, a fabricação do chip base pela Divisão de Fundição, até a integração heterogênea final pela equipe de encapsulamento avançado. Esse modelo de colaboração de ciclo completo com controle autônomo não apenas reduz significativamente o ciclo de desenvolvimento e o tempo de produção em massa do HBM5, mas também oferece vantagens notáveis no controle de custos de fabricação.

Além disso, Koo Ja-heum revelou o progresso geral da fundição de 2 nm da Samsung: após o lançamento global da produção em massa do processo GAA de 3 nm, a Samsung iniciou a produção em massa do processo de 2 nm de primeira geração no segundo semestre de 2025, e planeja iniciar a produção em massa do processo de 2 nm de segunda geração, com desempenho e rendimento otimizados, no segundo semestre de 2026. Atualmente, os pedidos de clientes importantes, incluindo a Tesla, continuam a se expandir.

Olhando para o desenvolvimento geral do ecossistema de semicondutores no futuro, Koo Ja-heum afirmou que o foco da Samsung Electronics não se limita apenas ao atual mercado aquecido de aceleradores de IA e computação de alto desempenho (HPC). Com a integração e aplicação de tecnologias de ponta como o processo de 2 nm e o HBM5, a Samsung está expandindo ativamente a cooperação aprofundada com uma gama mais ampla de clientes da indústria.

A empresa planeja aplicar amplamente o HBM avançado e serviços de fundição personalizados em áreas como terminais móveis inteligentes, plataformas eletrônicas automotivas de próxima geração e hardware robótico de ponta. Através da capacitação de poder computacional e armazenamento de base entre diferentes setores, a Samsung Electronics está comprometida em liderar o desenvolvimento e crescimento do ecossistema global de semicondutores.