De acordo com pt.wedoany.com-Em 10 de junho, a Northrop Grumman, dos Estados Unidos, desenvolveu um novo chip de banda W baseado em nitreto de gálio, capaz de melhorar a velocidade e a clareza da transmissão de sinais sem fio no espectro de alta frequência, visando aplicações como comunicações seguras por satélite, radares militares e futuras redes 5G/6G. O chip levou menos de seis meses desde o desenvolvimento até estar pronto para aplicação no mercado, adotando uma abordagem de design mais compacta e de baixo custo para substituir equipamentos tradicionais de alta frequência, que são maiores e consomem mais energia.
A banda W geralmente corresponde à faixa de alta frequência de ondas milimétricas, adequada para suportar transmissões sem fio com maior largura de banda e taxas mais altas, mas também impõe requisitos mais rigorosos quanto aos materiais dos dispositivos, design de radiofrequência, capacidade de dissipação de calor e processos de fabricação. Sistemas tradicionais de alta frequência geralmente exigem mais componentes discretos e encapsulamentos complexos, resultando em maior volume total, consumo de energia e dificuldade de integração. O novo chip GaN lançado pela Northrop Grumman comprime as capacidades de transmissão, recepção e processamento de sinais de alta frequência em um tamanho menor, ajudando a reduzir a complexidade do sistema em cargas úteis de comunicação por satélite, front-ends de radar e dispositivos de redes sem fio de próxima geração.
O material de nitreto de gálio é a base fundamental para esse tipo de chip. Em comparação com alguns materiais semicondutores tradicionais, o GaN oferece maior densidade de potência, melhor capacidade de operação em alta frequência e maior estabilidade em altas temperaturas, sendo adequado para radares, links de satélite, contramedidas eletrônicas, comunicações de ondas milimétricas e front-ends de radiofrequência de alta potência. Dispositivos de banda W precisam manter clareza de sinal e eficiência de transmissão em frequências extremamente altas, e o desempenho do material e a estrutura do chip afetam diretamente a qualidade do link. Com este chip, a Northrop Grumman validou sua capacidade de desenvolvimento rápido no campo da microeletrônica de alta frequência, oferecendo também uma nova opção de dispositivo para sistemas de comunicação de uso dual, civil e militar.
O significado industrial desse avanço não se limita a aplicações de defesa. Com a evolução do 5G para o 5G-A, o avanço das pesquisas em 6G e a expansão da internet via satélite, os recursos do espectro de alta frequência estão se tornando uma direção importante para as comunicações sem fio futuras. Faixas de frequência mais altas podem oferecer maior largura de banda, mas a distância de cobertura, a capacidade de penetração, o consumo de energia dos dispositivos e o custo dos terminais são desafios para a industrialização. Se os chips GaN de alta integração conseguirem reduzir o volume e o consumo de energia do sistema, poderão impulsionar a atualização de comunicações de ondas milimétricas, links seguros de satélite, comunicações aerotransportadas, equipamentos de estações terrestres e sistemas de sensoriamento de alta precisão. Para a cadeia da indústria de tecnologia da informação e comunicação, setores como chips de radiofrequência, amplificadores de potência, encapsulamento e teste, matrizes de antenas, terminais de satélite e módulos de radar se beneficiarão da melhoria da capacidade dos dispositivos de alta frequência.
Os próximos passos se concentrarão no progresso da validação deste chip em plataformas de sistema específicas, no controle de custos de produção em massa, nos resultados de testes de links de comunicação de banda W e se ele será adotado por mais projetos de satélites, comunicações seguras e redes sem fio de próxima geração. Se a tecnologia continuar a amadurecer, a Northrop Grumman fortalecerá sua competitividade no campo da microeletrônica GaN de alta frequência e também impulsionará a expansão dos dispositivos de banda W de sistemas especializados de alto nível para aplicações mais amplas de comunicação e sensoriamento. Para a construção de redes futuras, este chip demonstra que a competição por infraestrutura sem fio continua a avançar em direção a frequências mais altas, maior integração e menor consumo de energia.
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